[發明專利]集成芯片及其形成方法

有效

• 申請號: 201610816528.5
• 申請日: 2016-09-12
• 公開（公告）號: CN107026146B
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 彭士瑋;賴志明;陳俊光;陳志良;楊超源;曾健庭;蕭錦濤;劉如淦;嚴永松
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/535;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成芯片，包括：

第一金屬互連層，包括在第一方向上延伸的下金屬布線；

第二金屬互連層，包括通過第一通孔層耦合至所述下金屬布線并且在所述下金屬布線上方在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的多個連接銷，其中，所述多個連接銷包括：第一組連接銷，跨越所述下金屬布線的第一邊緣并且布置為在所述第一方向上具有第一間距；以及第二組連接銷，跨越所述下金屬布線的第二邊緣，所述第二邊緣與所述第一邊緣相對，其中，所述第二組連接銷中的一個相對于所述第一組連接銷中的一個的最小間距為小于所述第一間距的第二間距，所述第二間距沿所述第一方向，所述第一組連接銷與所述第二組連接銷交替布置；以及

第三金屬互連層，包括在所述下金屬布線和所述多個連接銷上方在所述第一方向上延伸的上金屬布線，其中，所述上金屬布線通過布置在所述第一通孔層上方的第二通孔層的方式耦合至所述多個連接銷。

2.根據權利要求1所述的集成芯片，還包括：

有源區，包括多個源極/漏極區域；

第二下金屬布線，布置在所述第一金屬互連層上并且平行于所述下金屬布線延伸，其中，所述第二下金屬布線與所述下金屬布線設置在所述有源區的相對側上；以及

其中，另一第一組連接銷跨越所述第二下金屬布線的第一邊緣，并且另一第二組連接銷跨越所述第二下金屬布線的第二邊緣，所述第二邊緣與所述第一邊緣相對，所述另一第一組連接銷與所述另一第二組連接銷交替布置。

3.根據權利要求2所述的集成芯片，其中，跨越所述下金屬布線的所述第一組連接銷相對于跨越所述第二下金屬布線的另一第一組連接銷在所述第一方向上的最小間距為小于所述第二間距的第三間距。

4.根據權利要求3所述的集成芯片，還包括：

多個柵極結構，在位于所述第一金屬互連層下方的位置處的所述有源區上方在所述第二方向上延伸，其中，所述多個柵極結構布置為具有柵極間距。

5.根據權利要求4所述的集成芯片，其中，所述第一間距等于所述柵極間距乘以第一偶數，所述第二間距等于所述柵極間距乘以奇數，并且所述第三間距等于所述柵極間距乘以第二偶數。

6.根據權利要求2所述的集成芯片，其中，所述下金屬布線和所述第二下金屬布線位于不同的電網上。

7.根據權利要求6所述的集成芯片，其中，所述第一金屬互連層和所述第二金屬互連層在所述第一方向和所述第二方向上重復布置，所述多個連接銷中的一個與垂直對準的所述多個連接銷的最近的另一個在所述第二方向上分隔開兩倍的單元高度，所述單元高度從所述下金屬布線的中心延伸至所述第二下金屬布線的中心。

8.根據權利要求6所述的集成芯片，其中，所述第一金屬互連層和第二金屬互連層在所述第一方向和所述第二方向上重復布置，所述多個連接銷中的一個與垂直對準的所述多個連接銷的最近的另一個在所述第二方向上分隔開四倍的單元高度，所述單元高度從所述下金屬布線的中心延伸至所述第二下金屬布線的中心。

9.一種集成芯片，包括：

多個柵極結構，在布置在半導體襯底內的有源區上方延伸；

第一金屬互連層，包括在所述多個柵極結構上方并且沿第一方向延伸的下電源軌；

第二金屬互連層，位于所述第一金屬互連層上面并且包括跨越所述下電源軌的第一邊緣的第一組連接銷以及跨越所述下電源軌的第二邊緣的第二組連接銷，所述第二邊緣與所述第一邊緣相對，其中，所述第一組連接銷和所述第二組連接銷電耦合至所述下電源軌，其中，所述第一組連接銷布置為在所述第一方向上具有第一間距，并且所述第二組連接銷中的一個相對于所述第一組連接銷中的一個的最小間距為小于所述第一間距的第二間距，所述第二間距沿所述第一方向，所述第一組連接銷與所述第二組連接銷交替布置；以及

第三金屬互連層，包括位于所述下電源軌上面并且電耦合至所述第一組連接銷和所述第二組連接銷的上電源軌。