[發明專利]封裝基板的加工方法有效
| 申請號: | 201610816510.5 | 申請日: | 2016-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN107017159B | 公開(公告)日: | 2022-01-28 |
| 發明(設計)人: | 吉田侑太 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L33/00;H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 加工 方法 | ||
1.一種封裝基板的加工方法,對封裝基板進行加工,該封裝基板具有:陶瓷基板;多個器件芯片,它們配置在該陶瓷基板的一個面上;以及覆蓋層,其由樹脂制成,并將該陶瓷基板的該一個面的整體覆蓋,該封裝基板的加工方法的特征在于,具有如下的工序:
第1激光加工槽形成工序,從該封裝基板的該覆蓋層側照射對于該覆蓋層具有吸收性的波長的激光光線,從而在該覆蓋層中形成沿著設定于該封裝基板的分割預定線的第1激光加工槽;以及
第2激光加工槽形成工序,在該第1激光加工槽形成工序之后,從該封裝基板的該陶瓷基板側照射對于該陶瓷基板具有吸收性的波長的激光光線,從而在該陶瓷基板中形成沿著該分割預定線的第2激光加工槽,
在所述第1激光加工槽形成工序中,使所述第1激光加工槽形成為從所述覆蓋層所露出的正面側達到所述覆蓋層與所述陶瓷基板的界面,
在所述第2激光加工槽形成工序中,使所述第2激光加工槽形成為從所述陶瓷基板的與所述一個面相反一側的面達到所述一個面,
所述第2激光加工槽的寬度大于所述第1激光加工槽的寬度,
由此能夠防止所述陶瓷基板的溶融物固著在對封裝基板進行加工而形成的器件封裝件上。
2.根據權利要求1所述的封裝基板的加工方法,其特征在于,
該封裝基板的加工方法還具有清洗工序,在所述第2激光加工槽形成工序之后,將所述封裝基板浸潤在施加了超聲波的液體中而進行清洗。
3.根據權利要求1或2所述的封裝基板的加工方法,其特征在于,
該封裝基板的加工方法對具有LED作為所述器件芯片的所述封裝基板進行加工。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





