[發(fā)明專(zhuān)利]非易失性存儲(chǔ)器陣列及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610815958.5
• 申請(qǐng)日: 2016-09-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107634066B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳柏安
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11568
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11568
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 喬媛

1.一種非易失性存儲(chǔ)器陣列，其特征在于，所述非易失性存儲(chǔ)器陣列包括：

基底；

多條位線，位于所述基底中，其中相鄰兩條所述位線之間由第一區(qū)與第二區(qū)所組成；

圖案化堆疊結(jié)構(gòu)，位于所述第一區(qū)的所述基底上，其中所述圖案化堆疊結(jié)構(gòu)至少包括電荷捕捉層以及穿隧介電層；

多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，位于所述多條位線上，以所述圖案化堆疊結(jié)構(gòu)為掩膜形成；

氧化層，位于所述圖案化堆疊結(jié)構(gòu)與所述第二區(qū)的所述基底上；以及

多條字元線，位于所述氧化層上并橫跨所述多條位線上的所述多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器陣列，其特征在于，所述多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)包括淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)或場(chǎng)氧化層結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器陣列，其特征在于，所述多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)的材料包括氧化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器陣列，其特征在于，所述穿隧介電層的材料包括氧化物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器陣列，其特征在于，所述電荷捕捉層的材料包括氮化物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的非易失性存儲(chǔ)器陣列，其特征在于，所述多條字元線的材料包括復(fù)晶硅。

7.一種非易失性存儲(chǔ)器陣列的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

于基底上形成圖案化堆疊結(jié)構(gòu)，露出部分所述基底，其中所述圖案化堆疊結(jié)構(gòu)包括電荷捕捉層以及穿隧介電層；

以所述圖案化堆疊結(jié)構(gòu)為掩膜，于露出的所述基底中形成多條位線，其中相鄰兩條所述位線之間由第一區(qū)與第二區(qū)所組成；

于所述多條位線的每一條上形成隔離結(jié)構(gòu)；

移除位于所述第二區(qū)的所述圖案化堆疊結(jié)構(gòu)，以暴露所述第二區(qū)的所述基底；

于所述基底與所述圖案化堆疊結(jié)構(gòu)上形成氧化層；以及

于所述氧化層上形成橫跨所述多條位線的多條字元線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，形成所述圖案化堆疊結(jié)構(gòu)的方法包括：

于所述基底上形成穿隧介電層；

于所述穿隧介電層上形成電荷捕捉層；以及

圖案化所述電荷捕捉層與所述穿隧介電層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，形成所述氧化層的方法包括熱氧化法。