[發明專利]半導體元件

有效

• 申請號: 201610815935.4
• 申請日: 2016-09-12
• 公開（公告）號: CN107799594B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 車行遠;李芃葳;彭康鈞
• 申請（專利權）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體元件，包括：

基底，包括主動區；

二摻雜區，設置于該基底的該主動區內；

柵極，設置于該基底表面，在平行于該基底表面的一第一方向上，該柵極位于該二摻雜區之間，且該柵極包括多個開孔設置于該主動區內；以及

間隙壁，該間隙壁的其中一部分覆蓋該柵極的側壁，而該間隙壁的另一部分填入該柵極的該多個開孔中。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中該多個開孔沿一第二方向排列成一第一直行與一第二直行，其中該第一直行的該多個開孔與該第二直行的該多個開孔于該第一方向上并不重疊，且該第一方向與該第二方向相交。

3.如權利要求2所述的半導體元件，其中各該開孔的開口形狀為正方形、長方形或圓形。

4.如權利要求1所述的半導體元件，其中該柵極包括兩個長條形開孔，沿著該第一方向并排且平行設置，該多個開孔于一第二方向上具有一長度，且該長度小于或等于該多個摻雜區于該第二方向上的長度。

5.如權利要求1所述的半導體元件，其中在該第一方向上，該多個開孔之間的間距為0.1微米至0.2微米。

6.如權利要求1所述的半導體元件，其中各該開孔于該第一方向上具有一寬度，該寬度小于等于0.2微米并大于等于0.1微米。

7.如權利要求1所述的半導體元件，其中該柵極于該第一方向上的寬度大于等于2.5微米。

8.如權利要求1所述的半導體元件，另包括：

摻雜阱設置于該基底的該主動區外，其中該柵極從該主動區延伸至該摻雜阱上，且該多個開孔僅設置于該主動區內的部分該柵極中；以及

柵極介電層，設于該基底表面，且該柵極介電層位于該柵極與該摻雜阱之間。

9.如權利要求8所述的半導體元件，另包括一隔離結構設置于該摻雜阱與該多個摻雜區之間。

10.如權利要求8所述的半導體元件，其中該柵極于該第一方向上的寬度大于等于0.5微米。