[發明專利]用于讀取陣列中的閃存單元的帶位線預充電電路的改進讀出放大器

有效

• 申請號: 201610815185.0
• 申請日: 2016-09-09
• 公開（公告）號: CN107808683B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 盛斌;S.周;T.王;R.錢;L.郭;D.白
• 申請（專利權）人: 硅存儲技術公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 呂傳奇;杜荔南

1.一種用于讀取閃存單元的第一陣列中或閃存單元的第二陣列中的所選閃存單元的讀出電路，包括：

耦合到所述第一陣列中的第一位線的第一電路；

耦合到所述第二陣列中的第二位線的第二電路；

比較器，所述比較器包括耦合到所述第一電路中的第一節點的第一輸入，以及耦合到所述第二電路中的第二節點的第二輸入，所述比較器的輸出耦合到第一組反相器，并且耦合到與所述第一組反相器并聯的第二組反相器，所述第一組反相器包括奇數個反相器，并且所述第二組反相器包括偶數個反相器；

多路復用器，所述多路復用器包括用于接收所述第一組反相器的輸出的第一輸入，以及用于接收所述第二組反相器的輸出的第二輸入，所述多路復用器受到選擇信號的控制，以輸出指示存儲在所述所選閃存單元中的數據的信號；

其中所述選擇信號被設定為第一狀態或第二狀態，所述第一狀態指示所述第一位線耦合到所述所選閃存單元并且所述第二位線為參考位線，而所述第二狀態指示所述第一位線為參考位線并且所述第二位線耦合到所述所選閃存單元。

2.根據權利要求1所述的讀出電路，還包括：

預充電電路，所述預充電電路耦合到所述第一節點和所述第二節點，以在讀操作之前將所述第一節點和所述第二節點充電到預定電壓。

3.根據權利要求1所述的讀出電路，其中所述第一電路包括第一PMOS晶體管，并且所述第二電路包括第二PMOS晶體管，其中所述第一PMOS晶體管和所述第二PMOS晶體管是對稱的。

4.根據權利要求3所述的讀出電路，其中所述第一PMOS晶體管和所述第二PMOS晶體管在讀操作期間被激活。