[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610812784.7
• 申請(qǐng)日: 2016-09-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107808901B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林勃?jiǎng)?/a>;黃奕泉;賴思豪;陳明志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L27/108;H01L21/336;H01L21/8242
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體元件，包括：

半導(dǎo)體主體，配置于介電基底上，且具有突出部分、第一部分與第二部分，其中所述第一部分與所述第二部分分別配置于所述突出部分的相對(duì)兩側(cè)；

第一摻雜區(qū)，配置于所述突出部分的頂部中；

第二摻雜區(qū)，僅配置于所述第一部分的遠(yuǎn)離所述突出部分的末端中；

柵極，僅配置于所述第一部分上且鄰近所述突出部分；以及

介電層，配置于所述柵極與所述突出部分之間以及所述柵極與所述第一部分之間；

其中，該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)具有相同的摻雜類型和相同的濃度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中所述第一部分的頂面高度不高于所述第二部分的頂面高度。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中所述柵極的頂面高度不高于所述第一摻雜區(qū)的底面高度。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中所述突出部分的寬度介于所述半導(dǎo)體元件的通道長(zhǎng)度的1/4至1/3之間。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中所述第二部分的頂面高度不高于所述柵極的中央部分的高度。

6.一種半導(dǎo)體元件，包括：

第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，配置于介電基底上；以及

第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，配置于介電基底上，且與所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)對(duì)稱設(shè)置，

其中所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)各自包括：

半導(dǎo)體主體，配置于介電基底上，且具有突出部分、第一部分與第二部分，其中所述第一部分與所述第二部分分別配置于所述突出部分的相對(duì)兩側(cè)；

第一摻雜區(qū)，配置于所述突出部分的頂部中；

第二摻雜區(qū)，僅配置于所述第一部分的遠(yuǎn)離所述突出部分的末端中；

柵極，僅配置于所述第一部分上且鄰近所述突出部分；以及

介電層，配置于所述柵極與所述突出部分之間以及所述柵極與所述第一部分之間；

其中，該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)具有相同的摻雜類型和相同的濃度。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中所述第一部分的頂面高度不高于所述第二部分的頂面高度。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中所述柵極的頂面高度不高于所述第一摻雜區(qū)的底面高度。

9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述突出部分的寬度介于通道長(zhǎng)度的1/4至1/3之間。

10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中所述第二部分的頂面高度不高于所述柵極的中央部分的高度。

11.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括：

在介電基底上形成半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層中形成第一溝槽與第二溝槽，其中所述第二溝槽位于所述第一溝槽下方，且所述第二溝槽暴露出部分所述介電基底，所述第二溝槽的寬度小于所述第一溝槽的寬度；

在所述第一溝槽與所述第二溝槽中形成第一介電層；

移除所述第一溝槽的兩側(cè)處的部分所述半導(dǎo)體層，以形成分別位于所述第一溝槽的兩側(cè)處的兩個(gè)半導(dǎo)體主體，每一個(gè)所述半導(dǎo)體主體包括突出部分、第一部分與第二部分，其中所述突出部分鄰近所述第一溝槽，所述第一部分與所述第二部分分別配置于所述突出部分的相對(duì)兩側(cè)，且所述第一部分遠(yuǎn)離所述第一溝槽；

形成第二介電層，以覆蓋所述半導(dǎo)體主體；

在每一個(gè)所述半導(dǎo)體主體的所述第一部分上形成導(dǎo)體層，其中所述導(dǎo)體層鄰近所述突出部分；以及

在所述突出部分的頂部中形成第一摻雜區(qū)以及在所述第一部分的遠(yuǎn)離所述突出部分的末端中形成第二摻雜區(qū)，其中所述第二介電層位于所述導(dǎo)體層與所述突出部分之間。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中位于所述第一溝槽的頂部周圍的所述第一摻雜區(qū)的底部不低于所述導(dǎo)體層的頂部表面。