[發明專利]一種排硫硫桿菌及高活性培養的方法

在審

• 申請號: 201610812501.9
• 申請日: 2016-09-08
• 公開（公告）號: CN106635866A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 楊宸;吳勇
• 申請（專利權）人: 南京師范大學
• 主分類號: C12N1/20
• 分類號: C12N1/20;C12R1/01
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司32218
• 代理人: 徐冬濤,袁正英

技術領域

本發明涉及生物化工領域，具體涉及一種排硫硫桿菌及高活性培養的方法，采用本方法培養排硫硫桿菌能極大降低菌體死亡率，明顯提高單位菌液中活菌數。

背景技術

傳統的排硫硫桿菌培養方法是依據化能自養細菌生長需求，以硫代硫酸鹽等簡單無機鹽作為碳源、氮源。排硫硫桿菌在這類培養基下生長緩慢，至少需要5天才會在培養基中看見直徑小于1毫米的圓形菌落。排硫硫桿菌在這一類培養基中與游離硫形成粘膜，長時間靜置，代謝產生的硫會在培養基中形成白色或淡黃色沉淀。這類由NH₄Cl、Fe²⁺等構成的培養基有較強鹽腐蝕性，即增加蛋白質分子表面電荷，增強蛋白質分子和水分子的作用，使蛋白質在水中溶解度增大。對排硫硫桿菌的細胞膜和細胞壁產生蛋白質鹽溶現象。在菌體培養過程中，一部分排硫硫桿菌因為蛋白質鹽溶而造成細胞壁破裂而死亡。最終導致菌體培養周期長，活菌數低等現象。

隨著利用微生物代謝機制凈化含硫化物的廢氣、廢水研究在學術圈逐漸展開，排硫硫桿菌培養周期長、活菌數低等問題使得該菌難以適應工業化的效率高、周期短、成本低的特性。如何避免排硫硫桿菌在含硫溶液中發生鹽溶現象，提高活菌數和菌體活力成為將微生物應用到工業的技術關鍵。

發明內容

本發明的目的是提供一種排硫硫桿菌，本發明的另一目的是提供一種利用上述排硫硫桿菌進行高活性培養的方法。

本發明的技術方案為：一種硫桿菌，其分類名為排硫硫桿菌，菌種的拉丁學名為Thiobacillus thioparus，保藏日期是2016年7月11日，保藏中心登記入冊編號是CGMCC No.12756。

本發明還提供了一種利用上述的硫桿菌進行高活性培養的方法，其具體步驟如下：將自養培養基和保護劑于容器中配制混合培養基，混合培養基的裝液量為容器體積容量的10％～20％；對培養基滅菌；按混合培養基體積比的2～5％接種排硫桿菌；控制溫度28～30℃，搖床轉速為160～180rpm/min，培養48h～72h，可清楚看見白黃色菌落。

優選混合培養基中自養培養基組分為：Na₂S₂O₃ 9～10g/L、KH₂PO₄3～5g/L、K₂HPO₄4～5g/L、MgSO₄.7H₂O 0.7～0.9g/L、NH₄Cl 0.4～0.6g/L、乙二酸四乙酸二鈉0.5～0.6g/L、ZnSO₄.7H₂O 0.22～0.32g/L、CaCl₂0.05～0.08g/L、MnCl₂.4H₂O0.05～0.08g/L、FeSO₄.7H₂O 0.05～0.08g/L、(NH₄)₆Mo₇O₂₄0.01～0.03g/L、CuSO₄.5H₂O 0.01～0.03g/L和CoCl₂.6H₂O 0.01～0.03g/L。

優選混合培養基中保護劑的組分及各組分占自養培養基的質量百分比分別為：2～4％海藻糖，0.1～0.3％聚乙二醇4000(PEG)，0.3～0.5％蔗糖，0.2～0.4％NaCl。

優選混合培養基的pH值為6.5～7.0。

對培養基滅菌，一般采用高壓蒸汽滅菌，其中Na₂S₂O₃和保護劑不可采用高溫滅菌法，可采用膜過濾或紫外滅菌法。

CGMCC No.12756菌株具有以下性質：

1、培養特征：

在固體LB培養基上培養，呈白色或淡黃色、微透明小圓點狀，有光澤，邊緣光滑整齊。

2、菌體形態特征：

在固體LB培養基上呈白色或淡黃色球形或橢圓型，直徑0.5～1.7微米，單細胞外通常有一層莢膜。以極生鞭毛運動。

3、生理生化性質：

表1 CGMCC No.12756菌株生理生化性質

+：為可利用；-：為不可利用。

有益效果：