[發明專利]磁存儲器

有效

• 申請號: 201610811820.8
• 申請日: 2016-09-09
• 公開（公告）號: CN106875969B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 與田博明;下村尚治;大澤裕一;大坊忠臣;井口智明;白鳥聰志;山百合;上口裕三
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金春實

1.一種磁存儲器，具備：

導電層，具有第1端子及第2端子；

多個磁阻元件，相互間隔地配置于所述第1端子與所述第2端子之間的所述導電層，各磁阻元件具有參照層、配置于所述參照層與所述導電層之間的存儲層以及配置于所述存儲層與所述參照層之間的非磁性層；以及

電路，在第1寫入階段，對所述多個磁阻元件的所述參照層施加第1電位，并且使第1寫入電流在所述第1端子與第2端子之間流過，在第2寫入階段，對所述多個磁阻元件中的應該寫入數據的磁阻元件的所述參照層施加第2電位并且使與所述第1寫入電流反向的第2寫入電流在所述第1端子與第2端子之間流過。

2.一種磁存儲器，具備：

導電層，具有第1端子及第2端子；

多個磁阻元件，相互間隔地配置于所述第1端子與所述第2端子之間的所述導電層，各磁阻元件具有參照層、配置于所述參照層與所述導電層之間的存儲層以及配置于所述存儲層與所述參照層之間的非磁性層；以及

電路，在第1寫入階段，對所述多個磁阻元件中的第1群的磁阻元件的所述參照層施加第1電位并且對所述多個磁阻元件中的與所述第1群不同的第2群的磁阻元件的所述參照層施加與所述第1電位不同的第2電位，并且使第1寫入電流在所述第1端子與第2端子之間流過，在第2寫入階段，對所述第1群的磁阻元件的所述參照層施加所述第2電位并且對所述第2群的磁阻元件的所述參照層施加所述第1電位，并且使與所述第1寫入電流反向的第2寫入電流在所述第1端子與第2端子之間流過。

3.根據權利要求1或者2所述的磁存儲器，其特征在于，還具備：

多個第1晶體管，與所述多個磁阻元件對應地設置，各晶體管具有第3端子及第4端子和第1控制端子，所述第3端子與對應的磁阻元件的所述參照層電連接；以及

第2晶體管，具有第5端子及第6端子和第2控制端子，所述第5端子與所述第1端子電連接。

4.根據權利要求3所述的磁存儲器，其特征在于，

所述多個第1晶體管的所述第1控制端子與相互不同的多根第1布線連接，所述第4端子與一根第2布線連接。

5.根據權利要求3所述的磁存儲器，其特征在于，

還具備第3晶體管，該第3晶體管具有第7端子及第8端子和第3控制端子，所述第7端子與所述第2端子電連接。

6.根據權利要求5所述的磁存儲器，其特征在于，

所述多個第1晶體管的所述第1控制端子與相互不同的多根第1布線連接，所述第4端子與一根第2布線連接，

所述第2控制端子和所述第3控制端子與一根第3布線連接。

7.根據權利要求1或者2所述的磁存儲器，其特征在于，還具備：

多個二極管，與所述多個磁阻元件對應地設置，各二極管的陰極以及陽極的一方與對應的磁阻元件的所述參照層電連接；以及

第1晶體管，具有第3端子及第4端子和第1控制端子，所述第3端子與所述第1端子電連接。

8.根據權利要求7所述的磁存儲器，其特征在于，

還具備第2晶體管，該第2晶體管具有第5端子及第6端子和第2控制端子，所述第5端子與所述第2端子電連接。

9.根據權利要求8所述的磁存儲器，其特征在于，

所述第1控制端子和所述第2控制端子與一根第1布線連接。

10.根據權利要求1或者2所述的磁存儲器，其特征在于，

所述磁阻元件的所述非磁性層是絕緣層。