[發明專利]顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201610809456.1 | 申請日: | 2014-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN106653685B | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發明(設計)人: | 山崎舜平;大野正勝;安達廣樹;井戶尻悟;武島幸市 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 葉曉勇;姜甜 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置的制造方法,所述方法包括如下步驟:
在第一襯底上形成第一有機樹脂層;
在所述第一有機樹脂層上形成第一絕緣膜;
在所述第一絕緣膜上形成包括溝道形成區的晶體管,所述溝道形成區包括氧化物半導體材料;
在所述晶體管上形成第二絕緣膜;
在所述第二絕緣膜上形成發光元件,所述發光元件電連接到所述晶體管;
在所述發光元件上設置第二襯底,所述第二襯底配備有第二有機樹脂層,使得所述第二有機樹脂層設置在所述發光元件與所述第二襯底之間;
使用第一激光經所述第一襯底照射所述第一有機樹脂層;
在使用所述第一激光的所述照射后,從所述第一有機樹脂層分離所述第一襯底;
在從所述第一有機樹脂層分離所述第一襯底后,將第一柔性襯底與所述第一有機樹脂層貼合;
使用第二激光經所述第二襯底照射所述第二有機樹脂層;
在使用所述第二激光的所述照射后,從所述第二有機樹脂層分離所述第二襯底;以及
在從所述第二有機樹脂層分離所述第二襯底后,將第二柔性襯底與所述第二有機樹脂層貼合。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,
其中,所述第一有機樹脂層和所述第二有機樹脂層各包括環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂和聚酰胺-酰亞胺樹脂中的至少一個。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,
其中,所述第一激光和所述第二激光各從準分子激光器裝置發射。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,
其中,一邊使用所述第一激光照射所述第一有機樹脂層,一邊將所述第一襯底向一個方向移動。
5.一種顯示裝置的制造方法,所述方法包括如下步驟:
在第一襯底上形成第一有機樹脂層;
在所述第一有機樹脂層上形成第一絕緣膜;
在所述第一絕緣膜上形成包括溝道形成區的晶體管,所述溝道形成區包括氧化物半導體材料;
在所述晶體管上形成第二絕緣膜;
在所述第二絕緣膜上形成發光元件,所述發光元件電連接到所述晶體管;
在所述發光元件上設置第二襯底,所述第二襯底配備有第二有機樹脂層,使得所述第二有機樹脂層設置在所述發光元件與所述第二襯底之間;
使用第一紫外線經所述第一襯底照射所述第一有機樹脂層;
在使用所述第一紫外線的所述照射后,從所述第一有機樹脂層分離所述第一襯底;
在從所述第一有機樹脂層分離所述第一襯底后,將第一柔性襯底與所述第一有機樹脂層貼合;
使用第二紫外線經所述第二襯底照射所述第二有機樹脂層;
在使用所述第二紫外線的所述照射后,從所述第二有機樹脂層分離所述第二襯底;以及
在從所述第二有機樹脂層分離所述第二襯底后,將第二柔性襯底與所述第二有機樹脂層貼合,
其中,所述第一有機樹脂層和所述第二有機樹脂層各包括環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂和聚酰胺-酰亞胺樹脂中的至少一個,以及
其中,所述第一有機樹脂層和所述第二有機樹脂層的各個的厚度小于或等于20μm。
6.根據權利要求1或5所述的顯示裝置的制造方法,
其中,所述第一有機樹脂層和所述第二有機樹脂層各通過使用旋涂法、浸涂法和刮刀涂布法中的任一個來形成。
7.根據權利要求5所述的顯示裝置的制造方法,
其中,所述第一紫外線和所述第二紫外線各從準分子激光器裝置發射。
8.根據權利要求5所述的顯示裝置的制造方法,
其中,一邊使用所述第一紫外線照射所述第一有機樹脂層,一邊將所述第一襯底向一個方向移動。
9.根據權利要求1或5所述的顯示裝置的制造方法,
其中,所述氧化物半導體材料包括銦和鋅。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社半導體能源研究所,未經株式會社半導體能源研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610809456.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





