[發明專利]多坩堝下降法制備氟化鎂晶體的生長設備及其生長方法在審
| 申請號： | 201610808276.1 | 申請日： | 2016-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN106435730A | 公開（公告）日： | 2017-02-22 |
| 發明（設計）人： | 李百中;李錚;施振華;侯印春 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12;C30B11/14;C30B11/02 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司31213 | 代理人： | 張澤純;張寧展 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 坩堝 下降 法制 氟化 晶體 生長 設備 及其 方法 | ||
【說明書】：
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