[發(fā)明專利]一種含銅離子鈣鈦礦薄膜的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610806825.1 | 申請(qǐng)日： | 2016-09-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106206956B | 公開（公告）日： | 2018-12-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊麗軍;楊盼;趙曉沖 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國工程物理研究院材料研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L51/42 | 分類號(hào)： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01L51/44 |
| 代理公司： | 成都眾恒智合專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51239 | 代理人： | 劉華平 |
| 地址： | 610000 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 新型 離子 鈣鈦礦 薄膜 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
