[發(fā)明專利]電光學(xué)裝置、電子設(shè)備以及電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610806125.2 | 申請日： | 2016-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN106652900B | 公開（公告）日： | 2021-12-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 太田人嗣;野澤陵一 | 申請（專利權(quán)）人： | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號： | G09G3/3208 | 分類號： | G09G3/3208 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 鄧毅;李慶澤 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光學(xué) 裝置 電子設(shè)備 以及 驅(qū)動 方法 | ||
1.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具有：
第一導(dǎo)電層；
第二導(dǎo)電層；
第三導(dǎo)電層；
第一電容，其具有與所述第二導(dǎo)電層連接的第四導(dǎo)電層、和所述第三導(dǎo)電層與所述第四導(dǎo)電層之間的介電膜；以及
像素電路，其與所述第三導(dǎo)電層和所述第一導(dǎo)電層對應(yīng)地設(shè)置，
所述第二導(dǎo)電層與形成有所述第三導(dǎo)電層的層相比形成在上層，
所述第一電容的所述第四導(dǎo)電層形成在與所述第二導(dǎo)電層不同的層，所述第一電容的所述第三導(dǎo)電層形成在與所述第四導(dǎo)電層不同的層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，
所述第三導(dǎo)電層與形成有晶體管的源極電極的層相比形成在上層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，
在所述第二導(dǎo)電層分別經(jīng)由所述第一電容連接有兩個以上的所述第三導(dǎo)電層，若將經(jīng)由所述第三導(dǎo)電層與同一所述第二導(dǎo)電層連接的所述像素電路的集合作為像素列，并將比所述像素列所包含的所述像素電路的個數(shù)少的個數(shù)的所述像素電路作為一個塊，則所述第三導(dǎo)電層針對各塊設(shè)置。
4.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具有：
第一導(dǎo)電層；
第二導(dǎo)電層；
第三導(dǎo)電層；
第一電容，其具有與所述第二導(dǎo)電層連接的第四導(dǎo)電層、和所述第三導(dǎo)電層與所述第四導(dǎo)電層之間的介電膜；以及
像素電路，其與所述第三導(dǎo)電層和所述第一導(dǎo)電層對應(yīng)地設(shè)置，
所述第二導(dǎo)電層與形成有所述第三導(dǎo)電層的層相比形成在上層，
所述像素電路具備：
多個晶體管，其包括驅(qū)動晶體管；以及
發(fā)光元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，
所述第三導(dǎo)電層與形成有晶體管的源極電極的層相比形成在上層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，
在所述第二導(dǎo)電層分別經(jīng)由所述第一電容連接有兩個以上的所述第三導(dǎo)電層，若將經(jīng)由所述第三導(dǎo)電層與同一所述第二導(dǎo)電層連接的所述像素電路的集合作為像素列，并將比所述像素列所包含的所述像素電路的個數(shù)少的個數(shù)的所述像素電路作為一個塊，則所述第三導(dǎo)電層針對各塊設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，
與所述多個晶體管中的所述驅(qū)動晶體管的電流端連接的電源線與所述第三導(dǎo)電層相比形成在下層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，
所述驅(qū)動晶體管的柵極電極被所述電源線覆蓋。
9.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具有：
第一導(dǎo)電層；
第二導(dǎo)電層；
第三導(dǎo)電層；
第一電容，其具有與所述第二導(dǎo)電層連接的第四導(dǎo)電層、和所述第三導(dǎo)電層與所述第四導(dǎo)電層之間的介電膜；以及
像素電路，其與所述第三導(dǎo)電層和所述第一導(dǎo)電層對應(yīng)地設(shè)置，
所述第二導(dǎo)電層與形成有所述第三導(dǎo)電層的層相比形成在上層，
所述第一電容按照每個所述第三導(dǎo)電層設(shè)置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，
所述第三導(dǎo)電層與形成有晶體管的源極電極的層相比形成在上層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，
在所述第二導(dǎo)電層分別經(jīng)由所述第一電容連接有兩個以上的所述第三導(dǎo)電層，若將經(jīng)由所述第三導(dǎo)電層與同一所述第二導(dǎo)電層連接的所述像素電路的集合作為像素列，并將比所述像素列所包含的所述像素電路的個數(shù)少的個數(shù)的所述像素電路作為一個塊，則所述第三導(dǎo)電層針對各塊設(shè)置。
12.一種電子設(shè)備，其特征在于，
具備權(quán)利要求1～11中任意一項所述的電光學(xué)裝置。
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