[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置、存儲(chǔ)器件以及制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610805513.9
• 申請(qǐng)日: 2016-09-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107799524B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢(qián)鋼;繆一民;孫沿林;陳旭波
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11;H01L21/8244
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 李浩

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底形成有阱區(qū)，所述阱區(qū)具有第一導(dǎo)電類(lèi)型；

在所述半導(dǎo)體襯底中的溝槽隔離部，所述溝槽隔離部位于所述阱區(qū)中；

在所述半導(dǎo)體襯底上方的偽柵極；

在所述半導(dǎo)體襯底中位于所述溝槽隔離部與所述偽柵極之間的第一摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)與所述阱區(qū)鄰接，所述第一摻雜區(qū)的至少一部分具有第二導(dǎo)電類(lèi)型，所述第二導(dǎo)電類(lèi)型與所述第一導(dǎo)電類(lèi)型相反；

將所述偽柵極與所述第一摻雜區(qū)電連接的第一連接件；以及

在所述半導(dǎo)體襯底中位于所述溝槽隔離部的與所述第一摻雜區(qū)相對(duì)的一側(cè)的第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)與所述阱區(qū)鄰接，所述第二摻雜區(qū)具有所述第一導(dǎo)電類(lèi)型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：

與所述第二摻雜區(qū)接觸的第二連接件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第一摻雜區(qū)全部具有所述第二導(dǎo)電類(lèi)型；

或者，

所述第一摻雜區(qū)的一部分具有所述第二導(dǎo)電類(lèi)型，所述第一摻雜區(qū)的另一部分具有所述第一導(dǎo)電類(lèi)型。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度和所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度分別大于所述阱區(qū)的摻雜濃度。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第一導(dǎo)電類(lèi)型為N型，所述第二導(dǎo)電類(lèi)型為P型，所述第二連接件連接至正電源電壓端；

或者，

所述第一導(dǎo)電類(lèi)型為P型，所述第二導(dǎo)電類(lèi)型為N型，所述第二連接件連接至接地端。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：

位于所述半導(dǎo)體襯底與所述偽柵極之間的偽柵極絕緣物層。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：在所述半導(dǎo)體襯底上且與所述偽柵極相隔離的柵極結(jié)構(gòu)，

其中，所述柵極結(jié)構(gòu)與所述偽柵極位于所述溝槽隔離部的同一側(cè)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括：位于所述阱區(qū)上的柵極絕緣物層和在所述柵極絕緣物層上的柵極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：

在所述半導(dǎo)體襯底中且分別位于所述柵極兩側(cè)的第三摻雜區(qū)和第四摻雜區(qū)，

其中，所述第三摻雜區(qū)位于所述柵極和所述偽柵極之間，所述第三摻雜區(qū)和所述第四摻雜區(qū)均具有所述第二導(dǎo)電類(lèi)型。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：

與所述第三摻雜區(qū)接觸的第三連接件；以及

在所述半導(dǎo)體襯底上包圍所述第一連接件、所述第二連接件和所述第三連接件的層間電介質(zhì)層。

10.一種存儲(chǔ)器件，其特征在于，包括：如權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。

11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底結(jié)構(gòu)，所述襯底結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底和在所述半導(dǎo)體襯底中的溝槽隔離部；

對(duì)所述襯底結(jié)構(gòu)執(zhí)行阱區(qū)摻雜以在所述半導(dǎo)體襯底中形成阱區(qū)，其中，所述溝槽隔離部位于所述阱區(qū)中，所述阱區(qū)具有第一導(dǎo)電類(lèi)型；

在所述半導(dǎo)體襯底的上方形成偽柵極；

對(duì)所述襯底結(jié)構(gòu)執(zhí)行第一摻雜以在所述半導(dǎo)體襯底中在所述溝槽隔離部與所述偽柵極之間形成第一摻雜區(qū)，其中，所述第一摻雜使得所述第一摻雜區(qū)形成在所述阱區(qū)中，所述第一摻雜區(qū)具有第二導(dǎo)電類(lèi)型，所述第二導(dǎo)電類(lèi)型與所述第一導(dǎo)電類(lèi)型相反；

對(duì)所述襯底結(jié)構(gòu)執(zhí)行第二摻雜以在所述阱區(qū)中在所述溝槽隔離部的與所述第一摻雜區(qū)相對(duì)的一側(cè)形成第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)具有所述第一導(dǎo)電類(lèi)型；以及

形成將所述偽柵極與所述第一摻雜區(qū)電連接的第一連接件。