[發明專利]一種基于鈣鈦礦薄膜太陽能電池的正投光學微結構幕布

有效

• 申請號: 201610803496.5
• 申請日: 2016-09-05
• 公開（公告）號: CN106168733B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 錢俊;王子強;廖宇
• 申請（專利權）人: 中顯映創科技有限公司
• 主分類號: G03B21/62
• 分類號: G03B21/62;H01L51/42
• 代理公司: 武漢華旭知識產權事務所42214
• 代理人: 劉天鈺

1.一種基于鈣鈦礦薄膜太陽能電池的正投光學微結構幕布，至少包括PET基底層，其特征在于：所述PET基底層上設置有呈微陣列分布的三角狀鈣鈦礦薄膜太陽能電池，相鄰的兩個三角狀鈣鈦礦薄膜太陽能電池之間的間距不大于投影圖像像素的1/2；所述三角狀鈣鈦礦薄膜太陽能電池的縱截面呈三角形結構，所述三角形結構中上斜面與PET基底層之間的夾角為30～90度，下斜面與PET基底層之間的夾角為30～65度；所述鈣鈦礦薄膜太陽能電池由上下層疊的FTO層、電子傳輸層、鈣鈦礦光敏層、空穴傳輸層以及金屬背電極組成，其中位于最底部的層次為金屬背電極，位于最頂部的層次為FTO層，各層次的縱截面均呈三角形狀，且各三角形有一個共同的頂點；所述FTO層上設置有一層玻璃襯底，所述玻璃襯底的上頂面為弧面狀，用于聚攏從斜上方照射來的外界環境光，并將環境光聚攏后傳輸至鈣鈦礦薄膜太陽能電池，鈣鈦礦薄膜太陽能電池將光線吸收并轉化為電能；所述金屬背電極能夠將從斜下方照射來的光線進行反射。

2.根據權利要求1所述的基于鈣鈦礦薄膜太陽能電池的正投光學微結構幕布，其特征在于：所述上斜面與PET基底層之間的夾角為35度，下斜面與PET基底層之間的夾角為55度。