[發(fā)明專利]二氧化鈦顆粒及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610803424.0
• 申請日: 2016-09-05
• 公開（公告）號: CN107149944B
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廣瀬英一;吉川英昭;奧野廣良;巖永猛;鹿島保伸;山田涉;竹內(nèi)榮;杉立淳
• 申請（專利權(quán)）人: 富士施樂株式會社
• 主分類號: B01J31/02
• 分類號: B01J31/02
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;武胐

1.一種用具有烴基的硅烷化合物進(jìn)行了表面處理的二氧化鈦顆粒，

其中，所述二氧化鈦顆粒在紫外可見吸收光譜中在波長400nm以上且800nm以下處具有吸收；并且，當(dāng)將所述紫外可見吸收光譜中在350nm波長處的吸光度設(shè)定為1時，所述二氧化鈦顆粒在450nm波長處的吸光度為0.1以上，并且

所述二氧化鈦顆粒在紅外吸收光譜中在波數(shù)2700cm^-1以上且3000cm^-1以下處具有吸收峰。

2.如權(quán)利要求1所述的二氧化鈦顆粒，

其中，所述硅烷化合物為由通式R¹_nSiR²_m表示的化合物，

其中，R¹表示飽和或不飽和的具有1至20個碳原子的脂肪族烴基或表示芳香族烴基，R²表示鹵素原子或烷氧基，n表示1至3的整數(shù)，m表示1至3的整數(shù)，其中n+m＝4；當(dāng)n表示整數(shù)2或3時，多個R¹可以表示相同基團(tuán)或不同基團(tuán)；當(dāng)m表示整數(shù)2或3時，多個R²可以表示相同基團(tuán)或不同基團(tuán)。

3.如權(quán)利要求2所述的二氧化鈦顆粒，其中，通式R¹_nSiR²_m中的R¹表示飽和烴基。

4.如權(quán)利要求3所述的二氧化鈦顆粒，其中，通式R¹_nSiR²_m中的R¹表示直鏈飽和烴基。

5.如權(quán)利要求2所述的二氧化鈦顆粒，其中，通式R¹_nSiR²_m中的R¹表示具有6至27個碳原子的芳香族烴基。

6.如權(quán)利要求5所述的二氧化鈦顆粒，其中，所述芳香族烴基是選自由亞苯基、亞聯(lián)苯基、亞三聯(lián)苯基、萘基和蒽基組成的組的至少一種。

7.如權(quán)利要求2所述的二氧化鈦顆粒，其中，所述鹵素原子是選自由氯、溴和碘組成的組的至少一種。

8.如權(quán)利要求2所述的二氧化鈦顆粒，其中，所述烷氧基具有1至10個碳原子。

9.如權(quán)利要求1所述的二氧化鈦顆粒，其中，所述二氧化鈦顆粒的體積平均粒徑為10nm以上且1μm以下。

10.如權(quán)利要求1所述的二氧化鈦顆粒，其中，當(dāng)將所述紫外可見吸收光譜中在350nm波長處的吸光度設(shè)定為1時，所述二氧化鈦顆粒在450nm波長處的吸光度為0.2以上，且在750nm波長處的吸光度為0.02以上。

11.一種制造二氧化鈦顆粒的方法，該方法包括：

用具有烴基的硅烷化合物對未經(jīng)處理的二氧化鈦顆粒進(jìn)行表面處理，

其中，在對所述未經(jīng)處理的二氧化鈦顆粒進(jìn)行表面處理時或之后，在180℃以上且500℃以下加熱所述二氧化鈦顆粒，以使得在所述二氧化鈦顆粒的紫外可見吸收光譜中，當(dāng)將350nm波長處的吸光度設(shè)定為1時，所述二氧化鈦顆粒在450nm波長處的吸光度為0.1以上。