[發(fā)明專利]化合物半導體雙異質(zhì)結結構的時間分辨光致發(fā)光譜模擬法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610802839.6 | 申請日： | 2016-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN106370630B | 公開（公告）日： | 2018-11-09 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張瑋;李欣益;陸宏波;張華輝;楊丞;陳杰;張夢炎;張建琴;鄭奕 | 申請（專利權）人： | 上海空間電源研究所 |
| 主分類號： | G01N21/63 | 分類號： | G01N21/63 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 周乃鑫;朱成之 |
| 地址： | 200245 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化合物 半導體 雙異質(zhì)結 結構 時間 分辨 光致發(fā)光 模擬 | ||
【權利要求書】：
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