[發明專利]含有低光學折射率差的窗口層與發射區的多結太陽電池

有效

• 申請號: 201610802693.5
• 申請日: 2016-09-05
• 公開（公告）號: CN106206825B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 李欣益;陸宏波;張瑋;楊丞;張夢炎;張華輝;陳杰;鄭奕;張建琴
• 申請（專利權）人: 上海空間電源研究所
• 主分類號: H01L31/0687
• 分類號: H01L31/0687
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙)31249
• 代理人: 尹兵

1.一種含有低光學折射率差的窗口層與發射區的多結太陽電池，其特征在于，該多結太陽電池由若干個寬禁帶、中禁帶、窄禁帶子電池級聯組成，每個子電池都具有窗口層、發射區、基區和背場層，所述的發射區采用n型子電池主體材料，窗口層采用n型材料，該n型材料禁帶寬度大于發射區電池主體材料，該n型材料與發射區電池主體材料禁帶寬度差不小于0.50eV，500-900nm波長范圍內光學折射率差不高于0.25。

2.如權利要求1所述的含有低光學折射率差的窗口層與發射區的多結太陽電池，其特征在于，所述的寬禁帶子電池禁帶寬度1.90-2.20eV，所述的中禁帶子電池禁帶寬度1.35-1.75eV，所述的窄禁帶子電池禁帶寬度0.60-1.20eV。

3.如權利要求1所述的含有低光學折射率差的窗口層與發射區的多結太陽電池，其特征在于，所述的發射區采用Si摻雜的n型的電池主體材料，厚度為40-100nm，摻雜濃度為1×10¹⁷～1×10¹⁸cm^-3。

4.如權利要求3所述的含有低光學折射率差的窗口層與發射區的多結太陽電池，其特征在于，所述的電池主體材料采用Al_xGa_1-xAs材料，其中，x＝0.20～0.37。

5.如權利要求1所述的含有低光學折射率差的窗口層與發射區的多結太陽電池，其特征在于，所述的窗口層采用Si摻雜的Al_xGa_1-xAs，其中，x＝0.40～0.70。

6.如權利要求5所述的含有低光學折射率差的窗口層與發射區的多結太陽電池，其特征在于，所述的窗口層厚度為10-50nm，摻雜濃度為1×10¹⁸～5×10¹⁸cm^-3。