[發(fā)明專利]T2造影劑及其制備方法和用途有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610802400.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-09-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107789635B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王春儒;盧志高;甄明明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào): | A61K49/08 | 分類號(hào): | A61K49/08;A61K47/02;A61K47/04 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 李志東 |
| 地址: | 100190 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | t2 造影 及其 制備 方法 用途 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種T2造影劑及其制備方法和用途,所述T2造影劑包括釓基納米材料和二氧化硅層,其中二氧化硅層包覆在所述釓基納米材料的至少一部分外表面。該T2造影劑具有良好的水溶性和生物相容性,且該T2造影劑尤其適合用來(lái)在高場(chǎng)下觀察病灶部位的精細(xì)結(jié)構(gòu),造影效果優(yōu)異。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及納米材料領(lǐng)域,具體而言,本發(fā)明涉及一種水溶性釓基納米材料T2造影劑及其制備方法和用途。
背景技術(shù)
核磁共振成像由于其無(wú)輻射和對(duì)人體的非侵入性以及超高的空間分辨率而成為一種有力的疾病診斷工具。在核磁共振成像中,為了提高病灶部位的對(duì)比成像效果,常常需要借助于造影劑,造影劑的引入可以縮短病灶部位的T1和T2弛豫時(shí)間,從而提高其與周圍組織的對(duì)比度,常用的造影劑有順磁性的釓基小分子和納米材料以及鐵磁性的納米材料。在眾多具有造影效果的材料中,釓(Gd),由于其有7個(gè)未配對(duì)電子,它的螯合物和無(wú)機(jī)納米材料是臨床上廣泛應(yīng)用的T1加權(quán)核磁共振成像造影劑,但是釓基造影劑在高場(chǎng)下的T1造影效果隨著磁場(chǎng)的升高而減弱,不適合用來(lái)在高場(chǎng)下觀察病灶部位的精細(xì)結(jié)構(gòu),并且并沒(méi)有找到一種簡(jiǎn)單有效的釓基納米材料的合成和水溶性改性的方法,限制了其生產(chǎn)和應(yīng)用。
因此,適用于在高場(chǎng)下觀察病灶部位的造影劑有待深入研究。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問(wèn)題之一。為此,本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種T2造影劑,該T2造影劑具有良好的水溶性和生物相容性,且該T2造影劑尤其適合用來(lái)在高場(chǎng)下觀察病灶部位的精細(xì)結(jié)構(gòu),造影效果優(yōu)異。
在本發(fā)明的一個(gè)方面,本發(fā)明提出了一種T2造影劑。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,該T2造影劑包括:
釓基納米材料;
二氧化硅層,所述二氧化硅層包覆在所述釓基納米材料的至少一部分外表面。
由此,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的T2造影劑通過(guò)在釓基納米材料的至少一部分外表面覆蓋二氧化硅層,使釓基納米材料具有了良好的水溶性,且在材料的后續(xù)鈍化處理中水溶性不會(huì)改變,同時(shí),二氧化硅層覆蓋在釓基納米材料表面,可以防止釓離子的泄露,從而在保證T2造影劑的低毒性的同時(shí)提高了其生物相容性,另外,表面二氧化硅層的存在使釓基納米材料獲得了更大的應(yīng)用前景,例如在二氧化硅層表面可以連接其他具有生物功能的分子,或通過(guò)高溫煅燒使表面二氧化硅層形成介孔二氧化硅從而使T2造影劑成為良好的藥物載體,更進(jìn)一步的,基于高通透性和滯留(EPR)效應(yīng),釓基納米材料能夠較好的富集在腫瘤部位,以提高T2造影劑的靶向性,且由尺寸效應(yīng)形成的高場(chǎng)下優(yōu)異的T2造影性能,使得本申請(qǐng)配方組成的T2造影劑尤其適合用來(lái)在高場(chǎng)下觀察病灶部位的精細(xì)結(jié)構(gòu)且造影效果優(yōu)異。
另外,根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的T2造影劑還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中,所述二氧化硅層包覆在所述釓基納米材料的外表面。由此,可以提高所述T2造影劑的水溶性和生物相容性。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中,所述釓基納米材料為NaGdF4。由此,可以顯著提高所述T2造影劑的成像效果。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中,所述二氧化硅層的厚度為10~15納米,優(yōu)選12納米。由此,可以進(jìn)一步提高所述T2造影劑的水溶性和生物相容性。
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