[發明專利]具有深槽和T?POLY結構的溝槽型MOS肖特基整流器及制造方法在審
| 申請號： | 201610801864.2 | 申請日： | 2016-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN106328690A | 公開（公告）日： | 2017-01-11 |
| 發明（設計）人： | 高耿輝;焦世龍;高秀秀 | 申請（專利權）人： | 廈門集順半導體制造有限公司;廈門元順微電子技術有限公司;友順科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 福州元創專利商標代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡學俊 |
| 地址： | 361021 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 poly 結構 溝槽 mos 肖特基 整流器 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
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