[發明專利]一種含有末端小失配子電池的多結太陽電池及其制備方法有效
| 申請號: | 201610801796.X | 申請日: | 2016-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN106252450B | 公開(公告)日: | 2018-03-23 |
| 發明(設計)人: | 陸宏波;李欣益;張瑋;張夢炎;鄭奕;張華輝;陳杰;楊丞;張建琴 | 申請(專利權)人: | 上海空間電源研究所 |
| 主分類號: | H01L31/0687 | 分類號: | H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海信好專利代理事務所(普通合伙)31249 | 代理人: | 尹兵,苗繪 |
| 地址: | 200245 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 含有 末端 失配 電池 太陽電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種含有末端小失配子電池的多結太陽電池,其特征在于,該多結電池包含設置在多結電池末端的底電池,該底電池與襯底存在晶格失配;該底電池與襯底的晶格失配度小于1%。
2.如權利要求1所述的含有末端小失配子電池的多結太陽電池,其特征在于,該多結電池還包含依次設置在襯底上的頂電池和中電池。
3.如權利要求2所述的含有末端小失配子電池的多結太陽電池,其特征在于,該多結電池由自下向上依次設置的GaAs襯底、AlGaInP頂電池、AlGaAs中電池和InGaAs底電池構成。
4.如權利要求3所述的含有末端小失配子電池的多結太陽電池,其特征在于,所述的InGaAs底電池中,In的含量不超過底電池質量的14%。
5.如權利要求3所述的含有末端小失配子電池的多結太陽電池,其特征在于,所述的AlGaInP頂電池禁帶寬度為1.95~2.3eV,AlGaAs中電池禁帶寬度為1.5~1.9eV,底電池InGaAs的禁帶寬度為1.22~1.42eV。
6.如權利要求2所述的含有末端小失配子電池的多結太陽電池,其特征在于,該多結電池包含由下向上依次生長的襯底(1)、緩沖層(2)、頂電池(3)、第一隧穿結(4)、中電池(5)、第二隧穿結(6)及底電池(7),該底電池(7)摻雜小失配材料。
7.一種根據權利要求1所述的含有末端小失配子電池的多結太陽電池的制備方法,其特征在于,該多結太陽電池采用倒置生長方式在襯底上制備,并在最末端生長小失配電池。
8.如權利要求7所述的含有末端小失配子電池的多結太陽電池的制備方法,其特征在于,所述的生長小失配電池是指向末端電池中摻雜小失配材料。
9.如權利要求7所述的含有末端小失配子電池的多結太陽電池的制備方法,其特征在于,該方法為:在襯底上先后依次生長AlGaInP頂電池、AlGaAs中電池和InGaAs底電池,該底電池與襯底存在晶格失配。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





