[發明專利]熔絲修調芯片的制造方法

有效

• 申請號: 201610798346.X
• 申請日: 2016-08-30
• 公開（公告）號: CN107785306B
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發明（設計）人: 張楠;高瞻;周晶;王浩;溫多武;范蓉;孫貴鵬;郭術明;張威彥;肖金玉;楊曉寒;李達
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/66
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;卜璐璐

本發明提供一種熔絲修調芯片的制造方法，該方法包括：獲取多個能夠代表待修調熔絲修調芯片的測試熔絲修調芯片；對各測試熔絲修調芯片分別施加一不同的修調電壓，確定各測試熔絲修調芯片是否成功修調，獲取能成功修調的最低修調電壓；基于待修調熔絲修調芯片的標稱修調電壓與所述最低修調電壓，獲取所述待修調熔絲修調芯片的電阻的最大波動范圍；進行工藝控制監控使待修調熔絲修調芯片的電阻的實際波動范圍處于所述最大波動范圍之內。本發明提供的方法能夠計算待修調熔絲修調芯片的電阻隨工藝波動而允許產生的最大波動范圍，從而能夠通過工藝控制監控使待修調熔絲修調芯片的電阻的實際波動范圍處于允許的最大波動范圍之內，提高熔絲修調的可靠性。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種熔絲修調芯片的制造方法。

背景技術

隨著技術的發展和進步，越來越多的芯片會采用封裝后修調的方法進行電路設計，這種設計的優點是可以避免封裝漂移，簡化中測項目，降低中測成本，比較適用于一些高精度和封裝后需要進行編程的芯片。

多晶硅熔絲修調芯片(Poly fuse)就是一種優秀的低密度的解決方案，它具有可靠性高、尺寸小等特點，并廣泛應用于各種工藝平臺中。多晶硅熔絲修調芯片為了提高修調的成功率，選擇了寬和長均較小的多晶電阻，例如尺寸最小的金屬鈷硅化物多晶電阻，以0.18微米(um)工藝為例，一般會選擇1.08um/0.18um尺寸的電阻作為主體，這種尺寸的電阻基本已經達到了工藝的臨界尺寸。對于工藝的控制來說，已經達到了極限，其應對多晶光刻(Poly CD)以及方塊阻值的波動，較其他尺寸更差。同時由于多晶硅熔絲修調芯片又具有編程一次性(修調后無法再進行修改)和封裝后修調的特性，所以在修調之前，無法知道多晶硅熔絲修調芯片是否可以修調成功，如果不能成功，也無法進行修正，如果不能成功修調，造成的損失是很大的。

發明內容

為了改善現有技術中因修調不成功造成的產品良率下降的問題，提高熔絲修調的可靠性，本發明提供一種熔絲修調芯片的制造方法，所述方法包括：獲取多個能夠代表待修調熔絲修調芯片的測試熔絲修調芯片；對各測試熔絲修調芯片分別施加一不同的修調電壓，確定各測試熔絲修調芯片是否成功修調，獲取能成功修調的最低修調電壓；基于待修調熔絲修調芯片的標稱修調電壓與所述最低修調電壓，獲取所述待修調熔絲修調芯片的電阻的最大波動范圍；進行工藝控制監控(PCM)使待修調熔絲修調芯片的電阻的實際波動范圍處于所述最大波動范圍之內。

在本發明的一個實施例中，所述各修調電壓為預定電壓范圍內按照預定步進值變化的電壓。

在本發明的一個實施例中，所述預定電壓范圍的最大電壓值為標稱修調電壓值。

在本發明的一個實施例中，所述預定電壓范圍為5伏特到4伏特。

在本發明的一個實施例中，所述步進值為-0.25伏特。

在本發明的一個實施例中，所述基于待修調熔絲修調芯片的標稱修調電壓與所述最低修調電壓獲取所述待修調熔絲修調芯片的電阻的最大波動范圍包括：基于待修調熔絲修調芯片的標稱修調電壓與所述最低修調電壓的電壓值的平方之比確定所述待修調熔絲修調芯片的電阻的最大波動范圍。

在本發明的一個實施例中，所述實際波動范圍是待修調熔絲修調芯片的實際電阻值除以標稱電阻值，所述實際電阻值通過所述工藝控制監控而獲得。

在本發明的一個實施例中，所述修調電壓中的每一個對應一片晶圓，一片晶圓上設置有多個待修調熔絲修調芯片和多個尺寸的測試熔絲修調芯片，所述多個尺寸為多個電阻寬度。

在本發明的一個實施例中，所述一片晶圓上設置有三個尺寸的測試熔絲修調芯片，所述三個尺寸中的一個尺寸為標準尺寸，另外兩個尺寸為所述標準尺寸上下波動預定范圍的尺寸。

在本發明的一個實施例中，所述待修調熔絲修調芯片為多晶硅熔絲修調芯片。