[發明專利]垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201610798250.3
• 申請日: 2016-08-31
• 公開（公告）號: CN107785427A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發明（設計）人: 張新;李巍;王榮華
• 申請（專利權）人: 無錫華潤華晶微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 張海英,林波

1.一種垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供第一導電類型的襯底；

在所述襯底的上方形成第一導電類型的外延層；

在所述外延層的上方形成分裂柵結構，所述分裂柵結構包括第一分裂柵區和第二分裂柵區，所述第一分裂柵區和所述第二分裂柵區之間形成中間開口結構，所述第一分裂柵區和所述第二分裂柵區的外側形成外側開口結構，所述第一分裂柵區和所述第二分裂柵區均包括第一絕緣層和設置在所述第一絕緣層上方的多晶體硅層；

以所述第一分裂柵區和所述第二分裂柵區為掩膜，在所述外延層的上部形成第二導電類型的第一摻雜區和第二摻雜區，所述第一摻雜區位于所述中間開口結構的下方，所述第二摻雜區位于所述外側開口結構的下方；

在所述外延層的上方形成第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第一分裂柵區和所述第二分裂柵區；

去除所述第一摻雜區和所述第二摻雜區上方的第二絕緣層，以露出所述第一摻雜區和所述第二摻雜區；

在所述第一摻雜區、所述第二摻雜區上方和剩余的所述第二絕緣層的表面形成源區金屬層，以及在與所述襯底的下方形成漏區金屬層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一摻雜區為第二導電類型的重摻雜區。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述第二摻雜區中形成第一導電類型的重摻雜區，所述第一導電類型的重摻雜區位于所述第二摻雜區上部。

4.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，包括：

在所述第二摻雜區上部邊緣形成第二導電類型的重摻雜區。

5.根據權利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，包括：

所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型；或者，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

6.一種垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，包括：

第一導電類型的襯底；

第一導電類型的外延層，位于所述襯底的上方；

分裂柵結構，位于所述外延層的上方，包括第一分裂柵區和第二分裂柵區，所述第一分裂柵區和所述第二分裂柵區之間為中間開口結構，所述第一分裂柵區和所述第二分裂柵區的外側為外側開口結構，所述第一分裂柵區和所述第二分裂柵區均包括第一絕緣層和設置在所述第一絕緣層上方的多晶硅層；

所述外延層的上部為第二導電類型的第一摻雜區和第二摻雜區，所述第一摻雜區位于所述中間開口結構的下方，所述第二摻雜區位于所述外側開口結構的下方；

所述第一分裂柵區和所述第二分裂柵區的上方為第二絕緣層；

在所述第一摻雜區、所述第二摻雜區上方和所述第二絕緣層的表面為源區金屬層，以及在與所述襯底的下方為漏區金屬層。

7.根據權利要求6所述的垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述第一摻雜區為第二導電類型的重摻雜區。

8.根據權利要求6所述的垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括：

所述第二摻雜區中為第一導電類型的重摻雜區，所述第一導電類型的重摻雜區位于所述第二摻雜區上部。

9.根據權利要求8所述的垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，包括：

在所述第二摻雜區上部邊緣有第二導電類型的重摻雜區。

10.根據權利要求6-9任一所述的垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，包括：

所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型；或者，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。