[發(fā)明專利]動(dòng)態(tài)偏置LDO電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610795173.6
• 申請(qǐng)日: 2016-08-31
• 公開（公告）號(hào): CN106249794B
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖南文理學(xué)院
• 主分類號(hào): G05F1/56
• 分類號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 北京酷愛(ài)智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11514
• 代理人: 李向英

1.一種動(dòng)態(tài)偏置LDO電路，其特征在于，包括固定偏置電路、動(dòng)態(tài)偏置電路、功率管柵端控制電路，其中：

固定偏置電路包括：參考電壓Vref，放大器OP1，晶體管M1～M4，電阻Rs，用于產(chǎn)生固定偏置電壓Vb1和Vb2；

動(dòng)態(tài)偏置電路包括：電阻R1、R2，電容C1、C2，放大器OP2、OP3，用于產(chǎn)生動(dòng)態(tài)偏置和固定偏置的疊加信號(hào)Vb3和Vb4；Vb3控制晶體管M6、M7的柵壓，Vb4控制晶體管M5和M8的柵壓；

功率管柵端控制電路包括：晶體管M5～M8，功率管Mp，功率管柵端和漏端寄生電容C_int和C_out；

其連接關(guān)系為：參考電壓Vref連接放大器OP1的正輸入端，OP1負(fù)輸入端與輸出相連構(gòu)成單位增益輸出，OP1輸出與晶體管M2的柵端相連，M2的源端連接電阻Rs的一端，電阻Rs另一端連接地，晶體管M2的漏端與晶體管M1的漏端和柵端相連，構(gòu)成固定偏置電壓Vb1，晶體管M1的源端與電源VDD相連，晶體管M3柵端為Vb1，M3源端連接VDD，M3的漏端與晶體管M4的漏端和柵端相連，M4的源端連接地，構(gòu)成固定偏置電壓Vb2，Vb1連接放大器OP2的正輸入端和電阻R1的一端，R1的另一端連接OP2的負(fù)輸入端和電容C1的一端，C1的另一端連接輸出電壓Vout，OP2的輸出端為Vb4連接晶體管M5和M8的柵端，固定偏置電壓Vb2連接放大器OP3的正輸入端和電阻R2的一端，電阻R2的另一端連接OP3的負(fù)輸入端和電容C2的一端，電容C2的另一端連接Vout，OP3的輸出電壓為Vb3連接晶體管M6和M7的柵端，晶體管M5的源端接VDD，M5漏端連接功率管Mp的柵端和晶體管M6的漏端，晶體管M6的源端連接晶體管M7的漏端和晶體管M8的漏端，晶體管M7的源端接地，晶體管M8的源端連接Vout，功率管Mp的源端接VDD，Mp的漏端為Vout；電容C_int和C_out分別是功率管Mp柵端和漏端處寄生的電容。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)偏置LDO電路，其特征在于，所述晶體管M1～M8為MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的動(dòng)態(tài)偏置LDO電路，其特征在于，所述功率管Mp為MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。