[發明專利]一種減小電源網絡電阻影響的DDR2 DRAM ODT結構有效
| 申請號： | 201610792364.7 | 申請日： | 2016-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN106356089B | 公開（公告）日： | 2019-05-17 |
| 發明（設計）人： | 劉海飛 | 申請（專利權）人： | 西安紫光國芯半導體有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/4094 | 分類號： | G11C11/4094 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡樂 |
| 地址： | 710055 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減小 電源 網絡 電阻 影響 ddr2dramodt 結構 | ||
【說明書】：
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