[發明專利]用于處理基板的設備和方法有效
| 申請號: | 201610792133.6 | 申請日: | 2016-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN107611056B | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發明(設計)人: | 李暎熏;林義相;趙珉晙;李載明 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 韓國忠淸*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 設備 方法 | ||
1.一種用于處理基板的方法,其特征在于,超臨界流體被供應到裝載有基板的腔室中,以處理所述基板,所述方法包括:
供應步驟,將所述超臨界流體供應到所述腔室內直到所述腔室的內部的壓力達到預設壓力;和
所述供應步驟之后的基板處理步驟,在重復將所述超臨界流體供應到所述腔室的內部中以及將所述超臨界流體從所述腔室的內部排出的過程中執行超臨界工藝,
其中,在所述供應步驟中供應到所述腔室的超臨界流體的流速是可變的,
其中,所述供應步驟包括:
第一供應步驟,將所述超臨界流體供應到腔室內直到所述腔室的內部的壓力達到第一預設壓力;和
第一供應步驟之后的第二供應步驟,將所述超臨界流體供應到所述腔室的內部中直到所述腔室的內部的壓力達到第二預設壓力,以及
其中,在所述第一供應步驟中供應的超臨界流體的第一流速高于在所述第二供應步驟中供應的超臨界流體的第二流速。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述供應步驟中供應的超臨界流體的流速由一個或多個固定控制管線改變,所述固定控制管線設置有具有不同開口尺寸的孔口。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述供應步驟中供應的超臨界流體的流速由設置有閥門的可變控制管線和所述固定控制管線改變,所述可變控制管線與所述固定控制管線并聯連接,以控制流速。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述供應步驟中供應的超臨界流體的流速由設置在供應管線上的調節器改變,通過所述供應管線供應所述超臨界流體。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一流速和所述第二流速中的至少一個隨時間改變。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一預設壓力為所述超臨界流體的臨界壓力。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述超臨界流體為二氧化碳,所述第一預設壓力為100巴-120巴之間。
8.一種用于處理基板的設備,其特征在于,所述設備包括:
腔室,所述腔室提供用于處理基板的空間;
供應管線,所述供應管線將超臨界流體供應到所述腔室內;
流速控制單元,所述流速控制單元改變供應的超臨界流體的流速;和
控制器,所述控制器控制所述流速控制單元,
其中,所述控制器以這種方式控制所述流速控制單元:以第一流速供應所述超臨界流體,直到所述腔室的內部的壓力達到第一預設壓力,然后在所述腔室的內部的壓力達到所述第一預設壓力之后,以低于所述第一流速的第二流速供應所述超臨界流體,直到所述腔室的內部的壓力達到第二預設壓力。
9.根據權利要求8所述的設備,其特征在于,所述流速控制單元包括一個或多個固定控制管線使得所述超臨界流體流過所述一個或多個固定控制管線,所述一個或多個固定控制管線分支于所述供應管線并彼此并聯連接,所述固定控制管線設置有具有多個開口的孔口,流體通過所述開口流動,所述多個開口的尺寸不同。
10.根據權利要求9所述的設備,其特征在于,所述流速控制單元包括可變控制管線使得超臨界流體流過所述可變控制管線,所述可變控制管線分支于所述供應管線并與所述固定控制管線并聯連接,所述可變控制管線設置有控制所述超臨界流體的流速的流速控制閥。
11.根據權利要求8所述的設備,其特征在于,所述流速控制單元包括設置在所述供應管線上的調節器,以控制供應的超臨界流體的流速。
12.根據權利要求11所述的設備,其特征在于,所述控制器控制所述調節器,使得所述第一流速和所述第二流速中的至少一個隨時間改變。
13.根據權利要求8所述的設備,其特征在于,所述第一預設壓力為所述超臨界流體的臨界壓力。
14.根據權利要求8的設備,其特征在于,所述超臨界流體為二氧化碳,所述第一預設壓力為100巴-120巴之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





