[發明專利]鍵合設備及方法在審
| 申請號: | 201610790769.7 | 申請日: | 2016-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN107785287A | 公開(公告)日: | 2018-03-09 |
| 發明(設計)人: | 趙濱;霍志軍;商飛祥 | 申請(專利權)人: | 上海微電子裝備(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李時云 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 設備 方法 | ||
1.一種鍵合設備,其特征在于,包括:
真空腔;
設置在所述真空腔內的用于承載第一基底的第一基底臺和用于承載第二基底的第二基底臺,所述第二基底臺位于所述第一基底臺上方,其承載面與所述第一基底臺的承載面相對設置;
所述第一基底臺的兩側分別設有第一活化單元和第一對準單元,所述第一基底臺在X-Y平面進行掃描運動時,所述第一活化單元對所述第二基底的鍵合面進行活化,所述第一對準單元識別所述第二基底上的標記進行定位;
所述第二基底臺的兩側分別設有第二活化單元和第二對準單元,所述第二基底臺在X-Y平面進行掃描運動時,所述第二活化單元對所述第一基底的鍵合面進行活化,所述第二對準單元識別所述第一基底上的標記進行定位;
所述第一對準單元和所述第二對準單元根據定位信息對所述第一基底和第二基底進行對準。
2.如權利要求1所述的鍵合設備,其特征在于,所述第一基底臺上設置有吸附所述第一基底的第一靜電吸盤,所述第二基底臺上設置有吸附所述第二基底的第二靜電吸盤。
3.如權利要求1所述的鍵合設備,其特征在于,所述鍵合設備還包括垂向加壓裝置,所述垂向加壓裝置驅動所述第二基底臺垂向運動,并施加預設壓力,使所述第二基底與所述第一基底進行鍵合。
4.如權利要求2所述的鍵合設備,其特征在于,所述鍵合設備還包括調平機構,所述調平機構對所述第一靜電吸盤的姿態進行調整。
5.如權利要求2所述的鍵合設備,其特征在于,所述第一基底臺上設有加熱所述第一靜電吸盤的第一加熱裝置,所述第二基底臺上設有加熱所述第二靜電吸盤的第二加熱裝置。
6.如權利要求5所述的鍵合設備,其特征在于,所述第一基底臺上設有冷卻所述第一靜電吸盤的第一冷卻裝置,所述第二基底臺上設有冷卻所述第二靜電吸盤的第二冷卻裝置。
7.如權利要求1所述的鍵合設備,其特征在于,所述鍵合設備還包括真空控制裝置、上片裝置和下片裝置,所述真空控制裝置控制所述真空腔內真空,所述上片裝置用于向所述第一基底臺和所述第二基底臺上載基底,所述下片裝置用于取出鍵合后的基底。
8.如權利要求1所述的鍵合設備,其特征在于,所述第一活化單元和第二活化單元均采用等離子活化方式。
9.一種基于權利要求1所述的鍵合裝置的鍵合方法,其特征在于,所述鍵合方法包括如下步驟:
上載第一基底至所述第一基底臺,上載第二基底至所述第二基底臺;
驅動所述第一基底臺和所述第二基底臺在X-Y平面進行掃描運動,所述第一基底臺運動時,所述第一基底臺上的第一活化單元對所述第二基底的鍵合面進行活化,所述第一基底臺上的第一對準單元識別所述第二基底的標記進行定位;所述第二基底臺運動時,所述第二基底臺上的第二活化單元對所述第一基底的鍵合面進行活化,所述第二基底臺上的第二對準單元識別所述第一基底的標記進行定位;
所述第一對準單元和所述第二對準單元根據定位信息對所述第一基底和第二基底進行對準;
驅動所述第二基底臺垂向運動,鍵合所述第一基底與所述第二基底。
10.如權利要求9所述的鍵合方法,其特征在于,在對所述第一基底和所述第二基底進行對準的過程中,對所述第一基底和所述第二基底進行加熱。
11.如權利要求10所述的鍵合方法,其特征在于,還包括對鍵合后的基底下片,在下片過程中對所述第一基底臺和所述第二基底臺進行冷卻。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





