[發明專利]一種具有壓敏電阻的ESD保護低壓超結MOSFET及其制造方法有效
| 申請號： | 201610789862.6 | 申請日： | 2016-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN106206551B | 公開（公告）日： | 2018-11-16 |
| 發明（設計）人： | 張雨;劉俠;楊東林;羅義 | 申請（專利權）人： | 西安芯派電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/62 | 分類號： | H01L23/62;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 徐文權 |
| 地址： | 710077 陜西省西安市高新*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 壓敏電阻 esd 保護 低壓 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安芯派電子科技有限公司，未經西安芯派電子科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610789862.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：具有改進的熱耗散和光提取的高壓LED
- 下一篇：平面集成電路電感器的梳狀端子
