[發(fā)明專利]一種量子阱FinFET器件及其制備方法、電子裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610789227.8
• 申請日: 2016-08-31
• 公開（公告）號: CN107785272A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發(fā)明（設計）人: 張海洋;王彥
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/306;H01L29/78;H01L29/15
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 高偉,馮永貞

1.一種量子阱FinFET器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有鰭片和填充所述鰭片之間間隙的隔離材料層；

回蝕刻所述鰭片，以在所述隔離材料層之間形成凹槽；

在所述凹槽中形成種子層，以填充所述凹槽；

在所述種子層上形成蝕刻催化劑層，以覆蓋所述種子層；

以所述蝕刻催化劑層為輔助執(zhí)行金屬輔助化學蝕刻，以蝕刻所述種子層至所述隔離材料層以下；

在所述種子層上方形成鰭片材料層，以形成量子阱鰭片。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進一步包括回蝕刻所述隔離材料層至所述鰭片材料層以下的步驟，以露出量子阱鰭片的頂部。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述種子層包括InP層。

4.根據(jù)權利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述種子層的形成方法包括金屬有機化合物化學氣相沉積。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鰭片材料層包括InGaAs層。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，通過電子束蒸發(fā)的方法形成所述蝕刻催化劑層。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，金屬輔助化學蝕刻所述種子層的步驟中使用的蝕刻液包括H₂O₂和H₂SO₄。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底采用晶向(100)的Si襯底。

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽為底部向下凹的錐形凹槽。

10.一種量子阱FinFET器件，其特征在于，所述量子阱FinFET器件包括：

半導體襯底；

量子阱鰭片，位于所述半導體襯底上，所述鰭片由下至上包括第一鰭片材料層、第二鰭片材料層和第三鰭片材料層；

隔離材料層，位于所述半導體襯底上方并且填充所述鰭片之間的間隙。

11.根據(jù)權利要求10所述的量子阱FinFET器件，其特征在于，所述第一鰭片材料層包括Si層；

所述第二鰭片材料層包括InP層；

第三鰭片材料層包括InGaAs層。

12.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權利要求10至11之一所述的量子阱FinFET器件。