[發(fā)明專利]發(fā)光二極管與其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610789116.7 | 申請日： | 2016-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN106129202B | 公開（公告）日： | 2018-06-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳立宜;張佩瑜;詹志輝;張俊儀;林師勤;李欣薇 | 申請（專利權(quán)）人： | 美科米尚技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京中譽(yù)威圣知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;叢芳 |
| 地址： | 薩摩亞阿庇亞*** | 國省代碼： | 薩摩亞;WS |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 穿透位錯 第一型半導(dǎo)體層 電流控制結(jié)構(gòu) 發(fā)光二極管 主動層 第二型半導(dǎo)體層 電流注入?yún)^(qū)域 第一區(qū) 垂直投影 發(fā)光效率 制作 | ||
【權(quán)利要求書】：
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