[發(fā)明專利]一種聚硅氧烷、摻雜漿料以及掩膜材料

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610787302.7
• 申請日: 2016-08-31
• 公開（公告）號: CN107793570A
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發(fā)明（設計）人: 徐芳榮;李平;池田武史;金光男;宋韡
• 申請（專利權）人: 東麗先端材料研究開發(fā)（中國）有限公司
• 主分類號: C08G77/16
• 分類號: C08G77/16;H01L31/0288
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1.一種聚硅氧烷，其特征在于：含有至少一種選自下式1所示的分子結構片段，

式1中，Q為含有醇羥基且主鏈碳原子數(shù)小于12的烷基、或者含有醇羥基且主鏈非氫原子數(shù)小于12且含雜原子的烷基；T為羥基、烷基、含有醇羥基且主鏈碳原子數(shù)小于12的烷基、或者含有醇羥基且主鏈非氫原子數(shù)小于12且含雜原子的烷基。

2.根據(jù)權利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：還含有摩爾含量1～99％的至少一種選自下式2所示的分子結構片段，

式2中X1為碳原子數(shù)小于8的烷基、或碳原子數(shù)小于10的芳基；Y1為羥基、碳原子數(shù)小于10的芳基、或者碳原子數(shù)小于8的烷基。

3.根據(jù)權利要求2所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述式2所示的分子結構片段的摩爾含量為1～50％。

4.根據(jù)權利要求2所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述Y1為羥基。

5.根據(jù)權利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述Q為式3所示的結構片段,

式3中，X為碳原子數(shù)小于7的烷基、或者主鏈非氫原子數(shù)小于7且含雜原子的的烷基；R1、R2、R3分別獨立為氫原子、碳原子數(shù)小于3的取代基、或者R2與X上的碳原子連接成為環(huán)狀取代基。

6.根據(jù)權利要求5所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述X為主鏈非氫原子數(shù)小于7且含雜原子的烷基。

7.根據(jù)權利要求5所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述R1、R2、R3分別獨立為氫原子、碳原子數(shù)為1的取代基、或者R2與X上的碳原子連接成為環(huán)狀取代基。

8.根據(jù)權利要求5或7所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述R1、R2、R3分別獨立為氫原子。

9.根據(jù)權利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：T為羥基、碳原子數(shù)小于8的烷基、或者含有式4所示的結構，

式4中Z為碳原子數(shù)小于7的烷基、或者主鏈非氫原子數(shù)小于7且含雜原子的的烷基；R4、R5、R6分別獨立為氫原子、碳原子數(shù)小于3的取代基、或者R2與Z上的碳原子連接成為環(huán)狀取代基。

10.根據(jù)權利要求9所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述Z為主鏈非氫原子數(shù)小于7且含雜原子的的烷基。

11.根據(jù)權利要求9所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述T為羥基。

12.根據(jù)權利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷不含有環(huán)氧乙烷結構。

13.根據(jù)權利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷的重均分子量為500～50000。

14.根據(jù)權利要求13所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷的重均分子量為1000～11000。

15.根據(jù)權利要求14所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷的重均分子量為1500～5500。

16.一種用于太陽能和半導體的摻雜漿料、以及掩膜材料，其特征在于：含有權利要求1～15任意一項所述的聚硅氧烷。

17.根據(jù)權利要求16所述的用于太陽能和半導體的摻雜漿料、以及掩膜材料，其特征在于還含有：

摻雜劑成分A、

高分子粘結劑B、

或溶劑C。

18.根據(jù)權利要求17所述的用于太陽能和半導體的摻雜漿料、以及掩膜材料，其特征在于：所述摻雜劑成分A包含第5主族元素的化合物的n型摻雜劑成分、或者包含第3主族元素的化合物的p型摻雜劑成分。

19.根據(jù)權利要求18所述的用于太陽能和半導體的摻雜漿料、以及掩膜材料，其特征在于：所述摻雜劑成分A包含無機硼化合物成分、或者無機磷化合物成分。

20.根據(jù)權利要求17所述的用于太陽能和半導體的摻雜漿料、以及掩膜材料，其特征在于：所述高分子粘結劑B的分子結構重復單元中包含醇羥基。

21.根據(jù)權利要求20所述的用于太陽能和半導體的摻雜漿料、以及掩膜材料，其特征在于：所述高分子粘結劑B的重均分子量范圍為1000～300000。