[發明專利]碳化硅基肖特基接觸制作方法及肖特基二極管制造方法

有效

• 申請號: 201610785226.6
• 申請日: 2016-08-31
• 公開（公告）號: CN107785250B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 周正東;李誠瞻;劉可安;吳煜東;饒偉;史晶晶;楊程;吳佳
• 申請（專利權）人: 株洲中車時代半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L21/329
• 代理公司: 北京聿華聯合知識產權代理有限公司 11611
• 代理人: 劉烽;朱繪

1.一種碳化硅肖特基接觸制作方法，包括以下步驟：

a.在碳化硅基體表面濺射肖特基接觸金屬材料；

b.將步驟a處理后的碳化硅基體進行加熱處理；

c.使步驟b處理后的碳化硅基體在惰性氣氛下冷卻；

d.在冷卻后的碳化硅基體表面進一步濺射陽極金屬材料；和

e.在步驟d之后，按照肖特基區域，在步驟d得到的碳化硅基體表面涂覆光刻膠，并形成刻蝕圖形掩膜，然后在陽極金屬材料腐蝕液中刻蝕非肖特基區的陽極金屬材料，接著在肖特基接觸金屬腐蝕液中刻蝕非肖特基區的肖特基接觸金屬材料，然后去除肖特基區的光刻膠，完成肖特基接觸的形成；

其中，所述步驟a和步驟d中的濺射在同一濺射設備中進行，在步驟a至步驟d期間，所述碳化硅基體不離開所述濺射設備。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述肖特基接觸金屬材料選自鈦、鎳、金和銀中的至少一種；和/或，所述陽極金屬材料選自鋁、鎳、銅、金和銀中的至少一種。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述肖特基接觸金屬為鈦，且所述陽極金屬材料為鋁。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，在步驟a中，肖特基接觸金屬材料的濺射速率為1～20nm/min；和/或，肖特基接觸金屬材料的濺射厚度為100～500nm。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在步驟a中，肖特基接觸金屬材料的濺射速率為2～10nm/min；和/或，肖特基接觸金屬材料的濺射厚度為150～350nm。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在步驟a中，肖特基接觸金屬材料濺射在室溫下進行。

7.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，在步驟b中，將步驟a處理后的碳化硅基體加熱至400℃～600℃的溫度。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在步驟b中，將步驟a處理后的碳化硅基體加熱至420～520℃的溫度。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在步驟b中，加熱升溫速率為2～100℃/秒。

10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在步驟b中，在加熱后的溫度下保持3～15min。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在步驟b中，在加熱后的溫度下保持3～10min。

12.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，在步驟d中，所述陽極金屬材料的濺射速率為100～500nm/min；和/或，所述陽極金屬材料的濺射厚度為3000～6000nm。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，在步驟d中，所述陽極金屬材料的濺射速率為150～450nm/min。

14.一種碳化硅肖特基二極管的制造方法，包括通過如權利要求1-13中任一項所述的方法在碳化硅基體上構造肖特基接觸。

15.根據權利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述碳化硅基體包括：

碳化硅襯底；

在所述碳化硅襯底上外延生長的碳化硅漂移層，所述漂移層中注入有P+結；和

所述碳化硅漂移層上生長的結終端介質，其一端與所述碳化硅漂移層邊緣對應，另一端與所述P+結區域對應。