[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201610783513.3
• 申請日: 2016-08-31
• 公開（公告）號: CN107785268B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發明（設計）人: 禹國賓;徐小平
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/762;H01L21/02
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底中包括硅區和淺溝槽隔離結構；

在所述硅區中形成定義源/漏區的凹槽，所述凹槽的側壁暴露所述淺溝槽隔離結構；

在所述凹槽中形成SiGe層；

在所述SiGe層上形成第一覆蓋層；

回蝕刻所述淺槽隔離結構，以暴露所述SiGe層的側壁；

在所述SiGe層側壁上形成第二覆蓋層；

在所述淺溝槽隔離結構及所述第一覆蓋層和第二覆蓋層上沉積氧化物層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiGe層包括SiGe種子層及SiGe主體層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiGe層的形成方法為外延生長法。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述氧化物層的方法包括先沉積氧化物層，再濕法刻蝕所述氧化物層，直到暴露所述第一覆蓋層的頂部。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一覆蓋層和第二覆蓋層均為Si層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一覆蓋層的材料包括SiB、SiGe、SiGeB、SiC或SiCB。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一覆蓋層的厚度為5埃到200埃。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二覆蓋層的厚度為5埃到300埃。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物層的材料包括硼磷硅玻璃、磷硅玻璃或深紫外線吸收氧化物。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，回蝕刻所述淺溝槽隔離結構所采用的刻蝕液為稀氫氟酸。

11.一種采用權利要求1-10之一所述方法制備的半導體器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底中包括硅區和淺溝槽隔離結構；

形成于所述硅區中的凹槽，所述凹槽的側壁暴露所述淺溝槽隔離結構；

形成于所述凹槽中的SiGe層；

形成于所述SiGe層頂部的第一覆蓋層，以及形成于所述SiGe層側壁上的第二覆蓋層；以及

形成于所述淺溝槽隔離結構及所述第一覆蓋層和第二覆蓋層上的氧化物層。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述SiGe層包括SiGe種子層及SiGe主體層。

13.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述第一覆蓋層和第二覆蓋層均為Si層。

14.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述第一覆蓋層的材料包括SiB、SiGe、SiGeB、SiC或SiCB。

15.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述第一覆蓋層的厚度為5埃到200埃。

16.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述第二覆蓋層的厚度為5埃到300埃。

17.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述氧化物層的上表面與所述第一覆蓋層的上表面齊平。

18.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述氧化物層的材料包括硼磷硅玻璃、磷硅玻璃或深紫外線吸收氧化物。