[發明專利]一種磁性隧道結的制備方法有效
| 申請號： | 201610779667.5 | 申請日： | 2016-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN107785485B | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發明（設計）人： | 左正笏;喻濤;陳志剛;谷勛;劉瑞盛;劉波 | 申請（專利權）人： | 中電海康集團有限公司;浙江馳拓科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 楊天嬌 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 磁性 隧道 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種磁性隧道結的制備方法，其特征在于，所述磁性隧道結的制備方法包括：
在襯底上沉積種子層、參比層、隧 穿層、存儲層、過渡層和硬掩膜層；
光刻出掩膜形狀，并刻蝕硬掩膜層；
以刻蝕后的硬掩膜層為硬掩膜，進行氧注入；
進行高溫退火處理，并光刻去除多余的部分；
回填介質材料，并進行CMP平坦化處理；
在平坦化處理后的表面沉積頂電極，并光刻出頂電極圖案。
2.根據權利要求1所述的磁性隧道結的制備方法，其特征在于，所述種子層材料為Ta，Ru或Ta/Ru。
3.根據權利要求1所述的磁性隧道結的制備方法，其特征在于，所述存儲層材料為CoFeB或者CoFeB/CoFe雙層材料。
4.根據權利要求1所述的磁性隧道結的制備方法，其特征在于，所述隧穿層材料為MgO，Al2O3或者HfO2。
5.根據權利要求1所述的磁性隧道結的制備方法，其特征在于，所述過渡層材料為缺氧的MgO。
6.根據權利要求1所述的磁性隧道結的制備方法，其特征在于，所述回填的介質材料為低k值材料，或者超低k值材料。
7.根據權利要求1所述的磁性隧道結的制備方法，其特征在于，所述硬掩膜材料為Ta，TaN，TiN或者W中的一種或多種。
8.根據權利要求1所述的磁性隧道結的制備方法，其特征在于，所述高溫退火的溫度為300度～800度，時間30秒～40分鐘。
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