[發明專利]一種緩釋型長效超憎水防污閃涂料在審
| 申請號: | 201610778038.0 | 申請日: | 2016-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN108300296A | 公開(公告)日: | 2018-07-20 |
| 發明(設計)人: | 賈士民 | 申請(專利權)人: | 天津市仕翔電氣科技有限公司 |
| 主分類號: | C09D183/06 | 分類號: | C09D183/06;C09D183/04;C09D7/61;C09D7/63;C09D7/65 |
| 代理公司: | 天津盛理知識產權代理有限公司 12209 | 代理人: | 王倩 |
| 地址: | 300350 天津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 憎水 防污閃涂料 緩釋型 改性聚硅氧烷 納米活性金屬 涂層表面 氧化物 端羥基聚二甲基硅氧烷 緩釋型涂料 基礎聚合物 氣相白炭黑 有機硅氧烷 憎水遷移性 活性基團 聚硅氧烷 多胺基 防污閃 光滑度 自潔性 阻燃劑 側鏈 電阻 硅膠 疏水 涂料 融合 | ||
本發明涉及一種緩釋型長效超憎水防污閃涂料,改性聚硅氧烷、107硅膠、疏水型氣相白炭黑、阻燃劑、納米活性金屬氧化物等配料比例合理,融合效果好,有利于緩釋型涂料的憎水防污閃性能的發揮。與現有技術相比,以側鏈帶有活性基團的聚硅氧烷(改性聚硅氧烷)和端羥基聚二甲基硅氧烷制相結合為緩釋型長效超憎水防污閃涂料的基礎聚合物,從而提高涂料的憎水遷移性,加入多胺基有機硅氧烷和納米活性金屬氧化物來降低涂層表面的電阻和增加涂層表面光滑度,來提高涂層自潔性。
技術領域
本發明屬于涂料加工領域,涉及防污閃涂料,尤其是一種緩釋型長效超憎水防污閃涂料。
背景技術
隨著工農業生產的迅速發展,大氣污染日益嚴重,污穢加重、環境惡化、電壓升高、網絡擴大和交直流聯網不斷增多,電力系統污閃事故不斷發生。污閃事故涉及范圍廣,停電時間長,嚴重威脅著輸變電設備的安全運行,給國民經濟帶來重大的經濟損失。每年冬季期間,全國電網發生的污閃跳閘次數數以千計,有時幾乎導致省級電網因此而解列。污閃事故不但嚴重威脅著電力系統的安全穩定運行,而且對于日益緊張的電力供電也造成了嚴重的影響。因此,防污閃工作一直是電網面臨的重要課題。
目前,大面積污閃事故頻發,區域性污閃事故不斷。而防污閃的措施不外乎以下幾種:①采取調爬措施;②絕緣子清掃;③采用合成絕緣子;④涂覆RTV涂料。在我國,RTV經受了1990年初華北地區大面積污閃和2001年初華北、遼寧和河南電網大面積污閃的考驗。在2001年的全國大面積污閃事故中,涂覆了RTV的線路均沒有發生污閃事故,因此RTV得到了較高評價。綜合考察、對比上述防污閃措施,可以看出涂覆RTV涂料是最經濟、效果最好的一種有效措施。
我國幅員遼闊,地理及氣象條件復雜,加之環境破壞日益嚴重,對高壓電網防污閃技術提出了很高的要求。隨著電網負荷的急劇增大,大型電網設備的引進,以及超高壓輸變電線路的建設日益增多,與之配套的絕緣產品表面的抗閃絡性能已不能適應形勢的需要,必須通過采用新型高性能抗污閃涂層來解決其在實際應用中的沿面閃絡問題。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術的不足之處,提供一種有效降低凃層表面的電阻和增加涂層表面光滑,提高凃層自潔性,經濟環保的緩釋型長效超憎水防污閃涂料。
本發明解決上述技術問題是采取以下技術方案實現的:
一種緩釋型長效超憎水防污閃涂料,由下列組份按照重量份數混合加工而成,包括:
改性聚硅氧烷 35~45份;
107硅膠 55~65份;
疏水型氣相白炭黑 20~30份;
阻燃劑 35~45份;
納米活性金屬氧化物 1~5份;
顏料 3~7份;
交聯劑 5~9份;
偶聯劑 1~2份;
催化劑 0.1~0.3份;
多胺基硅氧烷 3~7份;
溶劑 165~175份。
而且,所述的改性聚硅氧烷是以側鏈帶有活性基團的聚硅氧烷構成。
而且,所述的改性聚硅氧烷和端羥基聚二甲基硅氧烷制相結合形成聚合物。
而且,在所述聚合物中加入多胺基有機硅氧烷和納米活性金屬氧化物。
本發明的優點和有益效果為:
1、本發明中改性聚硅氧烷、107硅膠、疏水型氣相白炭黑、阻燃劑、納米活性金屬氧化物等配料比例合理,融合效果好,有利于緩釋型涂料的憎水防污閃性能的發揮。
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C09D 涂料組合物,例如色漆、清漆或天然漆;填充漿料;化學涂料或油墨的去除劑;油墨;改正液;木材著色劑;用于著色或印刷的漿料或固體;原料為此的應用
C09D183-00 基于由只在主鏈中形成含硅的、有或沒有硫、氮、氧或碳鍵反應得到的高分子化合物的涂料組合物;基于此種聚合物衍生物的涂料組合物
C09D183-02 .聚硅酸酯
C09D183-04 .聚硅氧烷
C09D183-10 .含有聚硅氧烷鏈區的嵌段或接枝共聚物
C09D183-14 .其中至少兩個,但不是所有的硅原子與氧以外的原子連接
C09D183-16 .其中所有的硅原子與氧以外的原子連接





