[發(fā)明專利]半導體存儲裝置及存儲系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610772128.9 | 申請日： | 2016-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN107195326B | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 沙納德·布什納克;赤嶺公之;白川政信 | 申請（專利權）人： | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號： | G11C16/08 | 分類號： | G11C16/08;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 楊林勛 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 存儲 裝置 存儲系統(tǒng) | ||
1.一種半導體存儲裝置，其特征在于包括：
第1存儲器單元，包含依次積層在半導體襯底的上方的第1至第4存儲單元；
第2存儲器單元，包含依次積層在所述半導體襯底的上方的第5至第8存儲單元；
第1字線，連接于所述第1及第5存儲單元的柵極；
第2字線，連接于所述第2及第6存儲單元的柵極；
第3字線，連接于所述第3及第7存儲單元的柵極；及
第4字線，連接于所述第4及第8存儲單元的柵極；且
在寫入動作中，按照所述第4存儲單元、所述第1存儲單元、所述第8存儲單元、所述第5存儲單元的順序進行寫入。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：
在所述寫入動作中，對所述第4存儲單元進行寫入時，所述第2及第6存儲單元為已完成寫入的狀態(tài)，所述第3及第7存儲單元為尚未寫入的狀態(tài)。
3.一種存儲系統(tǒng)，其特征在于包括半導體存儲裝置與控制器，
所述半導體存儲裝置包括：
第1存儲器單元，包含依次積層在半導體襯底的上方的第1至第4存儲單元；
第2存儲器單元，包含依次積層在所述半導體襯底的上方的第5至第8存儲單元；
第1字線，連接于所述第1及第5存儲單元的柵極；
第2字線，連接于所述第2及第6存儲單元的柵極；
第3字線，連接于所述第3及第7存儲單元的柵極；及
第4字線，連接于所述第4及第8存儲單元的柵極；且
所述控制器是以在所述半導體存儲裝置的寫入動作中按照所述第4存儲單元、所述第1存儲單元、所述第8存儲單元、所述第5存儲單元的順序進行寫入的方式指示。
4.一種半導體存儲裝置，其特征在于包括：
第1存儲器單元，包含依次積層在半導體襯底的上方的第1至第3存儲單元；
第2存儲器單元，包含依次積層在所述半導體襯底的上方的第4至第6存儲單元；
第3存儲器單元，包含依次積層在所述半導體襯底的上方的第7至第9存儲單元；
第1字線，連接于所述第1、第4、及第7存儲單元的柵極；
第2字線，連接于所述第2、第5、及第8存儲單元的柵極；及
第3字線，連接于所述第3、第6、及第9存儲單元的柵極；且
在寫入動作中，按照所述第7存儲單元、所述第5存儲單元、所述第3存儲單元的順序進行寫入。
5.根據(jù)權利要求4所述的半導體存儲裝置，其特征在于：
在所述寫入動作中，對所述第7存儲單元進行寫入時，所述第1、第2、及第4存儲單元為已完成寫入的狀態(tài)，所述第6、第8、及第9存儲單元為尚未寫入的狀態(tài)。
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