[發(fā)明專利]一種添加SiAlON-AlN-TiN的抗鋁液滲透澆注料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610770742.1 | 申請日： | 2016-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN106380211B | 公開（公告）日： | 2019-01-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 佘培華;佘文浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 長興盛華耐火材料有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/66 | 分類號： | C04B35/66 |
| 代理公司： | 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 33109 | 代理人： | 尉偉敏;趙越劍 |
| 地址： | 313117 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 添加 sialon aln tin 抗鋁液 滲透 澆注 料及 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于長興盛華耐火材料有限公司，未經(jīng)長興盛華耐火材料有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610770742.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 用于制造氮化鋁晶體的方法、氮化鋁晶體、氮化鋁晶體襯底和半導(dǎo)體器件
- AlN晶體襯底的制造方法、AlN晶體生長方法和AlN晶體襯底
- AlN模板、AlN模板的制備方法及AlN模板上的半導(dǎo)體器件
- AlN模板、AlN模板的制備方法及AlN模板上的半導(dǎo)體器件
- 一種用于發(fā)光二極管的AlN緩沖層及其制作方法
- 一種p-AlN/i-AlN/n-ZnO結(jié)構(gòu)
- 一種AlN納米片探測器及其制備方法
- 一種氮化物半導(dǎo)體材料及其制備方法
- 可協(xié)變應(yīng)力AlN結(jié)構(gòu)及其制備方法
- 一種用于紫外LED的AlN緩沖層結(jié)構(gòu)及其制作方法
