[發(fā)明專利]數(shù)據(jù)儲存裝置及其數(shù)據(jù)維護方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610768284.8
• 申請日: 2016-08-30
• 公開（公告）號: CN106708754B
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設計）人: 柯冠宇
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F12/16
• 分類號: G06F12/16;G06F11/14
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)儲存裝置包括一快閃存儲器以及一控制器。快閃存儲器包括多個區(qū)塊，每一區(qū)塊包括多個頁面。控制器在數(shù)據(jù)儲存裝置自一斷電事件中恢復時，在區(qū)塊中選擇在斷電事件之前最后一個進行寫入的一第一區(qū)塊，并且將第一區(qū)塊中的多個第一頁面中的數(shù)據(jù)寫入第一區(qū)塊中第一頁面外的其他多個第二頁面。

技術領域

本發(fā)明有關于一種數(shù)據(jù)儲存裝置，特別有關于在斷電事件后對數(shù)據(jù)進行維護的數(shù)據(jù)儲存裝置。

背景技術

快閃存儲器為一種普遍的非揮發(fā)性數(shù)據(jù)儲存裝置，是以電性方式抹除與程式化。以與非門型的快閃存儲器(即NAND FLASH)為例，常用作記憶卡(memory card)、通用串行總線閃存裝置(USB flash device)、固態(tài)硬智力(SSD)、嵌入式快閃存儲器模塊(eMMC)…等使用。

快閃存儲器(如，NAND FLASH)的儲存陣列包括多個個區(qū)塊(blocks)，其中浮置柵極晶體管可用以構成快閃存儲器。浮置柵極晶體管中的浮置柵極，可捕捉的電荷以儲存數(shù)據(jù)。然而，在寫入的過程中，非預期的斷電事件發(fā)生會損壞正在寫入的頁面的數(shù)據(jù)。因此，如何在斷電事件發(fā)生后對數(shù)據(jù)進行維護是一個重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所提供的數(shù)據(jù)儲存裝置以及數(shù)據(jù)維護方法可在斷電事件后將可能受損壞的數(shù)據(jù)重寫至相同的區(qū)塊中。

本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)儲存裝置包括一快閃存儲器以及一控制器。快閃存儲器包括多個區(qū)塊，每一區(qū)塊包括多個頁面。控制器在數(shù)據(jù)儲存裝置自一斷電事件中恢復時，在區(qū)塊中選擇在斷電事件之前最后一個進行寫入的一第一區(qū)塊，并且將第一區(qū)塊中的多個第一頁面中的數(shù)據(jù)寫入第一區(qū)塊中第一頁面外的其他多個第二頁面。

在一實施例中，第一區(qū)塊還包括多個字元線，并且第一區(qū)塊為一二階儲存單元區(qū)塊(MLC block)，其中第一區(qū)塊的每一字元線用以控制第一區(qū)塊中的兩個頁面。在數(shù)據(jù)儲存裝置自斷電事件中恢復時，控制器還用以在第一區(qū)塊的頁面中選擇在斷電事件之前最后一個被寫入的頁面以作為一基準頁面，并且根據(jù)字元線中用以控制基準頁面的一第一字元線決定第一頁面。第一頁面為被第一字元線以及排列于第一字元線前方的至少一第二字元線所控制的多個第三頁面中具有有效數(shù)據(jù)的頁面。又一實施例中，控制器還用以將冗余數(shù)據(jù)(dummy data)寫入第三頁面中不具有有效數(shù)據(jù)的頁面。

另一實施例中，控制器還用以判斷一備份區(qū)塊中是否具有第一頁面的備份，并且將第一頁面中在備份區(qū)塊不具有備份者的數(shù)據(jù)寫入備份區(qū)塊。另外，控制器還用以根據(jù)儲存于備份區(qū)塊中相應于第一頁面的數(shù)據(jù)，對第二頁面進行寫入以將第一頁面的數(shù)據(jù)寫入第二頁面，其中備份區(qū)塊的數(shù)據(jù)保護能力高于第一區(qū)塊。另外，一實施例中，第一區(qū)塊為一二階儲存單元區(qū)塊(MLC block)，并且備份區(qū)塊為一單階儲存單元區(qū)塊(SLC block)。

本發(fā)明另提供一種數(shù)據(jù)維護方法適用于具有一快閃存儲器的一數(shù)據(jù)儲存裝置，其中快閃存儲器包括多個區(qū)塊，并且每一區(qū)塊包括多個頁面。數(shù)據(jù)維護方法包括：在數(shù)據(jù)儲存裝置自一斷電事件中恢復時，在區(qū)塊中選擇在斷電事件之前最后一個進行寫入的一第一區(qū)塊；以及將第一區(qū)塊中的多個第一頁面中的數(shù)據(jù)寫入第一區(qū)塊中第一頁面外的其他多個第二頁面。

在一實施例中，第一區(qū)塊還包括多個字元線，并且第一區(qū)塊為一二階儲存單元區(qū)塊(MLC block)，其中第一區(qū)塊的每一字元線用以控制第一區(qū)塊中的兩個頁面。其中，數(shù)據(jù)維護方法還包括:在第一區(qū)塊的頁面中，選擇在斷電事件之前最后一個進行寫入的頁面以作為一基準頁面；以及根據(jù)字元線中用以控制基準頁面的一第一字元線決定第一頁面，其中第一頁面為被第一字元線以及排列于第一字元線前方的至少一第二字元線所控制的多個第三頁面中具有有效數(shù)據(jù)的頁面。另外，數(shù)據(jù)維護方法還包括將冗余數(shù)據(jù)(dummy data)寫入第三頁面中不具有有效數(shù)據(jù)的頁面。