[發明專利]一種氯離子插層的3D鎳鈷雙金屬氫氧化物材料的低溫合成方法在審
| 申請號： | 201610766805.6 | 申請日： | 2016-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN106449127A | 公開（公告）日： | 2017-02-22 |
| 發明（設計）人： | 盧黎明;任鐵真 | 申請（專利權）人： | 河北工業大學 |
| 主分類號： | H01G11/24 | 分類號： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 300401 天*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氯離子 雙金屬 氫氧化物 材料 低溫 合成 方法 | ||
【說明書】：
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