[發(fā)明專利]激光封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610766719.5 | 申請(qǐng)日: | 2016-08-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107785286B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃元昊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備(集團(tuán))股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 201203 上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光 封裝 方法 | ||
1.一種激光封裝方法,使用激光加熱位于兩基底之間的玻璃料圖案,使得被加熱的所述玻璃料圖案將所述兩基底密封,其特征在于,所述方法包括:
步驟1:對(duì)所述玻璃料圖案進(jìn)行路徑分割,將所述玻璃料圖案劃分為若干子段,且相鄰兩子段之間具有一段重疊的區(qū)域,將該重疊的區(qū)域稱為拼接區(qū);
每一所述子段的長(zhǎng)度小于或等于30mm;
步驟2:使用激光束在所述若干子段中一子段的起始點(diǎn)到結(jié)束點(diǎn)間進(jìn)行多次重復(fù)掃描,待掃描完成后移動(dòng)至下一子段的起始點(diǎn);
步驟3:重復(fù)步驟2,直至所有玻璃料圖案全部掃描完成。
2.如權(quán)利要求1所述的激光封裝方法,其特征在于,所述若干子段的形狀包括直線和/或圓弧。
3.如權(quán)利要求1所述的激光封裝方法,其特征在于,步驟1中,將所述玻璃料圖案分割為若干個(gè)長(zhǎng)度相同的子段和/或若干個(gè)長(zhǎng)度不同的子段。
4.如權(quán)利要求1所述的激光封裝方法,其特征在于,所述拼接區(qū)的長(zhǎng)度小于所述若干子段中任一子段長(zhǎng)度的一半。
5.如權(quán)利要求1所述的激光封裝方法,其特征在于,所述步驟2包括:步驟21:選取一子段為初始掃描段,計(jì)算更新所述初始掃描段的起始點(diǎn)和結(jié)束點(diǎn)的位置坐標(biāo);
步驟22:對(duì)該子段進(jìn)行工藝參數(shù)規(guī)劃;步驟23:激光束從該子段的起始點(diǎn)移動(dòng)至結(jié)束點(diǎn);
步驟24:激光束跳轉(zhuǎn)至該子段的起始點(diǎn),重復(fù)執(zhí)行步驟23,直到跳轉(zhuǎn)次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)后執(zhí)行步驟25;
步驟25:計(jì)算下一子段的起始點(diǎn)和結(jié)束點(diǎn)的位置坐標(biāo),激光束跳轉(zhuǎn)至下一子段的起始點(diǎn);
步驟26:重復(fù)步驟23-步驟25,直至所述玻璃料圖案被全部掃描完成。
6.如權(quán)利要求5所述的激光封裝方法,其特征在于,所述步驟24、25中,激光束跳轉(zhuǎn)過(guò)程中處于無(wú)輸出狀態(tài)。
7.如權(quán)利要求5所述的激光封裝方法,其特征在于,所述步驟25中,激光束跳轉(zhuǎn)前在當(dāng)前子段的結(jié)束點(diǎn)和/或激光束在跳轉(zhuǎn)后在下一子段的起始點(diǎn)存在時(shí)間延遲。
8.如權(quán)利要求7所述的激光封裝方法,其特征在于,通過(guò)控制激光束的掃描時(shí)間、跳轉(zhuǎn)時(shí)間和延遲時(shí)間,使每個(gè)子段具有相同的掃描周期。
9.如權(quán)利要求1所述的激光封裝方法,其特征在于,在掃描所述若干子段時(shí),若存在特殊區(qū)域,則在掃描所述特殊區(qū)域時(shí)改變激光束的輸出功率和/或掃描速度,以改變所述特殊區(qū)域獲得的能量,其中所述特殊區(qū)域包括所述玻璃料圖案中的圓弧段、與所述圓弧段連接的直線段以及有電極穿過(guò)的區(qū)域。
10.如權(quán)利要求1所述的激光封裝方法,其特征在于,所述若干子段上每個(gè)子段還設(shè)置有起始區(qū)和/或停止區(qū),掃描所述起始區(qū)和/或停止區(qū)時(shí)改變激光束的輸出功率和/或掃描速度,以改變所述起始區(qū)和/或停止區(qū)獲得的能量。
11.如權(quán)利要求10所述的激光封裝方法,其特征在于,所述起始區(qū)和停止區(qū)均為所述拼接區(qū)。
12.如權(quán)利要求1所述的激光封裝方法,其特征在于,還包括步驟4:采用自然冷卻、采用激光束以預(yù)定功率曲線方式掃描玻璃料和/或采用激光束以溫度反饋方式掃描玻璃料,從而對(duì)玻璃料進(jìn)行冷卻。
13.如權(quán)利要求1所述的激光封裝方法,其特征在于,所述若干子段的形狀包括多條直線與圓弧的組合。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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