[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610764720.4
• 申請日: 2016-08-30
• 公開（公告）號: CN107785409A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳海;鄭忠慶;王祝山
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/335
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11201
• 代理人: 李志東

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

器件區(qū)；

劃片支撐區(qū)，所述劃片支撐區(qū)環(huán)繞所述器件區(qū)設(shè)置，并且所述劃片支撐區(qū)沿著遠(yuǎn)離器件區(qū)的方向向下延伸與所述器件區(qū)的底部構(gòu)成凹槽；以及

金屬層，所述金屬層覆蓋所述凹槽。

2.根據(jù)權(quán)利要1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括多個(gè)所述器件區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述劃片支撐區(qū)自上而下限定出器件區(qū)支撐段和凹槽支撐段，其中，所述凹槽支撐段的寬度小于所述器件區(qū)支撐段的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述劃片支撐區(qū)是由襯底材料形成的。

5.一種制備權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，包括：

(1)提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括器件區(qū)、劃片支撐區(qū)以及襯底，其中，所述器件區(qū)設(shè)置在所述襯底上表面上，所述劃片支撐區(qū)環(huán)繞所述器件區(qū)；

(2)在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)下表面設(shè)置刻蝕模板，所述刻蝕模板覆蓋與所述劃片支撐區(qū)相對應(yīng)的所述襯底的下表面；

(3)依據(jù)所述刻蝕模板對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行自下而上的刻蝕處理，以便降低所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)未被所述刻蝕模板覆蓋區(qū)域的厚度；

(4)去除所述刻蝕模板；以及

(5)在經(jīng)過步驟(4)處理的所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的下表面設(shè)置金屬層，以便形成所述半導(dǎo)體器件。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，步驟(1)之后以及步驟(2)之前，進(jìn)一步包括：

在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上表面設(shè)置保護(hù)膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述刻蝕處理為濕法刻蝕或者干法刻蝕。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述刻蝕處理為干法刻蝕，所述刻蝕處理的刻蝕寬度等于所述器件區(qū)橫截面的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述刻蝕處理為濕法刻蝕，所述刻蝕處理的刻蝕寬度大于所述器件區(qū)橫截面的寬度。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，步驟(4)進(jìn)一步包括：

(a)去除所述刻蝕模板；

(b)去除所述保護(hù)膜；

(d)對所述半導(dǎo)體器件的下表面退火處理。

11.根據(jù)權(quán)利要求5～10任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括多個(gè)所述器件區(qū)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：

沿所述劃片支撐區(qū)對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割。