[發明專利]存儲元件的制造方法

有效

• 申請號: 201610764693.0
• 申請日: 2016-08-30
• 公開（公告）號: CN107799528B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 陳俊旭;卓旭棋
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11531
• 分類號: H01L27/11531;H01L27/11521
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種存儲元件的制造方法，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底具有第一區、第二區以及第三區；

于所述第一區的所述襯底上形成第一柵介電層；

于所述第二區與所述第三區的所述襯底上形成第二柵介電層；

于所述襯底上形成第一導體層；

于所述第一導體層上直接形成第一介電層，其中所述第一介電層的材料為氮化硅層，所述第一導體層與所述第一介電層之間不具有任何氧化層；

移除所述第二區的部分所述第一介電層、部分所述第一導體層以及部分所述第二柵介電層，以暴露所述第二區的部分所述襯底的表面；

移除所述第三區的部分所述第一介電層、部分所述第一導體層以及部分所述第二柵介電層，以暴露所述第三區的部分所述襯底的表面，其中在移除所述第二區與所述第三區的部分所述第二柵介電層的步驟中包括：進行一濕式蝕刻制程，以進一步移除部分所述第一導體層以及部分所述第一導體層下方的所述第二柵介電層，使得剩余的所述第一導體層的側面以及剩余的所述第二柵介電層的側面形成一凹陷；

于所述第二區的所述襯底上依序形成第三柵介電層與第二導體層；

于所述襯底上依序形成第三導體層與第二介電層；以及

在所述襯底中形成多個隔離結構，其中該些 隔離結構穿過所述第二介電層延伸至所述襯底中。

2.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，其特征在于，所述第一導體層與所述第一介電層直接接觸。

3.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第三柵介電層與所述第二導體層時，同時在所述第二區的所述襯底中形成一凹槽，且形成所述多個隔離結構之一的方法包括移除所述凹槽周圍的所述襯底、所述第一導體層以及所述凹槽上方的所述第三導體層與所述第二介電層，以形成一溝渠；以及于所述溝渠中填入隔離材料層。

4.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，其特征在于，所述第三區的所述第二柵介電層為穿隧介電層。

5.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，其特征在于，在所述第二區的所述襯底上依序形成所述第三柵介電層與所述第二導體層的步驟中，還包括：

于所述第三區的所述襯底上依序形成所述第三柵介電層與所述第二導體層，其中所述第三區的所述第三柵介電層為穿隧介電層。

6.根據權利要求5所述的存儲元件的制造方法，其特征在于，在所述第二區與所述第三區的所述襯底上形成所述第三柵介電層與所述第二導體層時，同時在所述第二區與所述第三區的所述襯底中分別形成兩個凹槽，且形成所述多個隔離結構之一的方法包括：移除該些 凹槽周圍的所述襯底、所述第一導體層以及該些 凹槽上方的所述第三導體層與所述第二介電層，以分別形成兩個溝渠；以及于該些 溝渠中填入隔離材料層。

7.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一柵介電層之前，還包括：

于所述第三區的所述襯底中形成具有第一導電型的深井區；

于所述深井區上形成具有第二導電型的第一井區；以及

于所述深井區的兩側分別形成具有所述第一導電型的兩個高壓井區。

8.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，其特征在于，所述第一柵介電層的厚度、所述第二柵介電層的厚度以及所述第三柵介電層的厚度彼此不同。

9.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，其特征在于，所述第一介電層的厚度為10nm至40nm之間。