[發明專利]一種大功率碳化硅驅動電路

在審

• 申請號: 201610763244.4
• 申請日: 2016-08-30
• 公開（公告）號: CN107800416A
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 李征
• 申請（專利權）人: 李征
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687;H03K17/22;H03K17/16;H03K17/081
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種大功率碳化硅驅動電路，其特征是：所述的大功率碳化硅驅動電路由改進光耦合器隔離驅動電路、過流保護及軟關斷電路、綜合故障鎖存及復位電路組成。

2.根據權利要求1所述的一種大功率碳化硅驅動電路，其特征是：所述光耦合器隔離驅動電路主要分為脈沖整形放大與故障檢測兩部分。

3.根據權利要求1所述的一種大功率碳化硅驅動電路，其特征是：所述的光耦合器隔離驅動電路中，整形放大部分主要功能為實現驅動脈沖的功率放大，采用專門用于MOSFET和IGBT的高速驅動芯片IXDD614雙管并聯實現。

4.根據權利要求1所述的一種大功率碳化硅驅動電路，其特征是：所述的光耦合器隔離驅動電路中，故障檢測部分主要功能是實現過流故障檢測。

5.根據權利要求1所述的一種大功率碳化硅驅動電路，其特征是：所述光耦合器隔離驅動電路中，BM6104FV為開關頻率高達1MHz的驅動芯片，內含短路檢測、門極米勒鉗位、軟關斷保護功能，芯片供電電壓為+5V，脈沖輸入采用施密特特性的CD4093進行整形。

6.根據權利要求1所述的一種大功率碳化硅驅動電路，其特征是：所述過流保護及軟關斷電路中，過流保護電路采用比較器LM339進行過流值比較，輸出為SC,一路給定9013三極管對IXDD614進行控制，一路給定軟關斷電路進行軟關斷。

7.根據權利要求1所述的一種大功率碳化硅驅動電路，其特征是：所述綜合故障鎖存及復位電路對故障進行相應鎖存、指示，匯總為1路光耦故障供外電路使用，電路采用光荊進行隔離后進入鎖存電路，并提供相應的LED顯示。

8.根據權利要求1所述的一種大功率碳化硅驅動電路，其特征是：所述綜合故障鎖存及復位電路中的其余四路故障通過比較器LM339和設置門檻進行比較然后進入鎖存電路進行鎖存，提供相應的LED顯示。