[發(fā)明專利]一種硼酸鎂晶須的表面改性方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610762130.8 | 申請(qǐng)日： | 2016-08-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106400486B | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-03-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱東海;乃學(xué)瑛;邊紹菊;劉鑫;董亞萍;李武 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院青海鹽湖研究所 |
| 主分類號(hào)： | D06M14/18 | 分類號(hào)： | D06M14/18;C08K9/10;C08K7/08 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304 | 代理人： | 孫偉峰 |
| 地址： | 810008*** | 國(guó)省代碼： | 青海;63 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硼酸鎂晶須 等離子設(shè)備 表面改性 等離子 非聚合性氣體 聚合性單體 電場(chǎng)作用 放電功率 活性基團(tuán) 氣壓 下放 化學(xué)鍵 有機(jī)包覆膜 表面作用 抽真空 引入 包覆 改性 耗時(shí) | ||
1.一種硼酸鎂晶須的表面改性方法，其特征在于，包括步驟：
A、將硼酸鎂晶須置于等離子設(shè)備中，并將所述等離子設(shè)備進(jìn)行抽真空；
B、將非聚合性氣體引入所述等離子設(shè)備中，調(diào)節(jié)所述等離子設(shè)備至第一氣壓和第一放電功率，使所述非聚合性氣體在電場(chǎng)作用下放電產(chǎn)生第一等離子體，所述第一等離子體與所述硼酸鎂晶須的表面作用，所述硼酸鎂晶須的表面產(chǎn)生活性基團(tuán)；
C、停止引入所述非聚合性氣體，同時(shí)將聚合性單體引入所述等離子設(shè)備中，調(diào)節(jié)所述等離子設(shè)備至第二氣壓和第二放電功率，使所述聚合性單體在電場(chǎng)作用下放電產(chǎn)生第二等離子體，所述第二等離子體與所述活性基團(tuán)反應(yīng)，獲得改性硼酸鎂晶須。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面改性方法，其特征在于，在所述步驟A中，將所述等離子設(shè)備抽真空至其真空度為5Pa～10Pa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟B中，所述第一氣壓為40Pa～90Pa。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面改性方法，其特征在于，在所述步驟B中，所述非聚合性氣體選自Ar、O2中的任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟B中，所述第一放電功率為50W～100W。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面改性方法，其特征在于，在所述步驟B中，所述等離子設(shè)備的放電時(shí)間為2min～5min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟C中，所述第二氣壓為20Pa～70Pa。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面改性方法，其特征在于，在所述步驟C中，所述聚合性單體選自苯乙烯、丙烯酸、甲基丙烯酸甲脂和環(huán)己烷中的任意一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面改性方法，其特征在于，在所述步驟C中，所述第二放電功率為30W～80W。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面改性方法，其特征在于，在所述步驟C中，所述等離子設(shè)備的放電時(shí)間為2min～10min。
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