[發明專利]含導通浮體晶體管、并具有永久性和非永久性功能的半導體存儲元件及操作方法

有效

• 申請號: 201610757366.2
• 申請日: 2011-02-07
• 公開（公告）號: CN107293322B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 于妮爾圖·維佳佳;子威·霍巴赫
• 申請（專利權）人: 芝諾半導體有限公司
• 主分類號: G11C11/404
• 分類號: G11C11/404;G11C11/56;G11C14/00;G11C16/04;H01L27/108;H01L27/11517;H01L29/06;H01L29/49;H01L29/66;H01L29/78;H01L29/788
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何沖;曾旻輝

1.一個維持存儲單元狀態而不用中斷對存儲單元訪問的方法，所述方法包含下列操作：

提供存儲單元，包括具有表面的基板，所述基板包括用于存儲所述存儲單元狀態的浮體區域；反向偏壓區域，位于所述浮體區域下方與所述浮體區域電接觸，并配置為向所述浮體區域注入電荷或從所述浮體區域提取電荷以維持所述存儲單元狀態；

通過所述反向偏壓區域施加一個反向偏壓到所述浮體區域，以抵消從所述存儲單元的所述浮體區域中泄漏的電荷，其中，所述浮體區域的電荷水平指示出所述存儲單元的一個狀態；并且

訪問所述存儲單元。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述施加一個反向偏壓到所述浮體區域包含施加反向偏壓到所述存儲單元的一個電極上，所述電極不用于所述存儲單元的選址。

3.根據權利要求1所述的方法，所述反向偏壓作為一個恒定的正偏壓而施加。

4.根據權利要求1所述的方法，所述反向偏壓作為一個周期性正電壓脈沖而施加。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，可被存儲于所述浮體區域的最大電勢可通過對所述存儲單元施加反向偏壓而得到提高，從而得到相對較大的存儲窗口。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，施加反向偏壓用于在所述存儲單元執行一個保持操作，所述方法進一步包括當保持操作正在執行時，同時在所述存儲單元上同步執行一個讀操作。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所處存儲單元為一個多層單元，所述浮體區域配置為通過存儲多個位以指示多個狀態，所述方法進一步包括監控所述存儲單元的單元電流，從而確定所述存儲單元的一個狀態。

8.一種操作一個存儲陣列的方法，所述陣列帶有在存儲單元一個陣列中排列的存儲單元的行和列，每一個所述存儲單元包括具有表面的基板，所述基板包括用于存儲所述存儲單元狀態的浮體區域，以及反向偏壓區域，位于所述浮體區域下方與所述浮體區域電接觸，并配置為向所述浮體區域注入電荷或從所述浮體區域提取電荷以維持所述存儲單元狀態；所述方法包含：

在至少未與所選定存儲單元排列在一行或一列的全部存儲單元上執行一個保持操作，所述保持操作包括通過所述至少未與所選定存儲單元排列在一行或一列的全部存儲單元的所述反向偏壓區域向其施加反向偏壓；并且

在至少未與所選定存儲單元排列在一行或一列的全部存儲單元上執行一個保持操作的同時，訪問所述選定存儲單元并在所述選定存儲單元上執行一個讀或寫的操作。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述執行一個保持操作包含在所有所述存儲單元上執行保持操作，并且所述執行一個讀或寫操作包含在所述選定單元上執行一個讀操作。

10.根據權利要求8所述的方法，其中所述保持操作通過施加反向偏壓于一個不用于存儲選址的電極上而執行。

11.根據權利要求10所述的方法，所述電極進行區隔以實現對施加到存儲陣列一個選定部分的反向偏壓進行獨立控制。

12.根據權利要求8所述的方法，所述執行一個保持操作包含在除了所述選定存儲單元外所有單元上執行保持操作，并且所述執行一個讀或寫操作包含在選定存儲單元上執行一個寫“0”操作，在所述選定存儲單元上執行一個寫“0”操作期間，寫“0”操作也在與所述選定存儲單元共享一個同一源線電極的所有單元上執行。

13.根據權利要求8所述的方法，其包含一個獨立位寫“0”操作，所述執行一個保持操作包含在除了所述選定存儲單元外所有單元上執行保持操作，而所述執行一個讀或寫操作包含在所述選定存儲單元上執行一個寫“0”操作。