[發(fā)明專利]生長在鋁酸鎂鈧襯底上的InGaN/GaN量子阱及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610757252.8 | 申請日： | 2016-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN106206888B | 公開（公告）日： | 2018-09-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李國強;王文樑;楊美娟;林云昊 | 申請（專利權(quán)）人： | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人： | 羅觀祥 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 生長 鋁酸鎂鈧 襯底 ingan gan 量子 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華南理工大學(xué)，未經(jīng)華南理工大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610757252.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
