[發(fā)明專利]電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610756678.1
• 申請(qǐng)日: 2016-08-29
• 公開（公告）號(hào): CN106898692A
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李泰榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L43/08
• 分類號(hào): H01L43/08;H01L43/10;G06F13/16
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11363
• 代理人: 李少丹,許偉群

1.一種電子設(shè)備，包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括：

自由層，具有可變磁化方向；

釘扎層，具有釘扎的磁化方向；以及

隧道勢(shì)壘層，介于釘扎層與自由層之間，

其中，自由層包括：

第一磁性層；

第二磁性層，形成在第一磁性層之上；以及

含鋯Zr材料層，介于第一磁性層與第二磁性層之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，含Zr材料層包括含F(xiàn)eZr的合金。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，自由層還包括介于第一磁性層與含Zr材料層之間的間隔件層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子設(shè)備，其中，間隔件層包括金屬、金屬氮化物或金屬氧化物中的一種或更多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子設(shè)備，其中，間隔件層包括鉻Cr、釕Ru、銥Ir或銠Rh中的一種或更多種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，第二磁性層具有比第一磁性層的厚度大的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子設(shè)備，其中，含Zr材料層包括含F(xiàn)eZr的合金，以及間隔件層包括Ru。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，第一磁性層和第二磁性層包括彼此不同的材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，還包括介于第一磁性層與第二磁性層之間的材料層，所述材料層用于緩解第一磁性層與第二磁性層之間的晶格結(jié)構(gòu)上的差異和晶格失配。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，還包括處理器，所述處理器包括：

核心單元，被配置成基于從處理器的外部輸入的命令、通過使用數(shù)據(jù)來執(zhí)行與所述命令相對(duì)應(yīng)的操作；

高速緩存存儲(chǔ)單元，被配置成儲(chǔ)存用于執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)、與執(zhí)行操作的結(jié)果相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)或者被執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)的地址；以及

總線接口，連接在核心單元與高速緩存存儲(chǔ)單元之間，且被配置成在核心單元與高速緩存存儲(chǔ)單元之間傳送數(shù)據(jù)，

其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是處理器中的高速緩存存儲(chǔ)單元的部件。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，還包括數(shù)據(jù)儲(chǔ)存系統(tǒng)，所述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存系統(tǒng)包括：

儲(chǔ)存設(shè)備，被配置成儲(chǔ)存數(shù)據(jù)以及不管電源如何都保留儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)；

控制器，被配置成根據(jù)從外部輸入的命令來控制將數(shù)據(jù)輸入儲(chǔ)存設(shè)備和從儲(chǔ)存設(shè)備輸出數(shù)據(jù)；

暫時(shí)儲(chǔ)存設(shè)備，被配置成暫時(shí)儲(chǔ)存在儲(chǔ)存設(shè)備與外部之間交換的數(shù)據(jù)；以及

接口，被配置成在儲(chǔ)存設(shè)備、控制器和暫時(shí)儲(chǔ)存設(shè)備中的至少一個(gè)與外部之間執(zhí)行通信，

其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是數(shù)據(jù)儲(chǔ)存系統(tǒng)中的儲(chǔ)存設(shè)備或暫時(shí)儲(chǔ)存設(shè)備的部件。

12.一種電子設(shè)備，包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括：

自由層，具有可變磁化方向；

釘扎層，具有釘扎的磁化方向；以及

隧道勢(shì)壘層，介于釘扎層與自由層之間，

其中，自由層包括：

多個(gè)磁性層；以及

含鋯Zr材料層，介于所述多個(gè)磁性層之間，

其中，自由層具有合成反鐵磁SAF結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中，含Zr材料層包括FeZr。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中，自由層還包括間隔件層，所述間隔件層介于所述多個(gè)磁性層之中的不與隧道勢(shì)壘層接觸的磁性層與含Zr材料層之間。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子設(shè)備，其中，間隔件層包括金屬、金屬氮化物或金屬氧化物中的一種或更多種。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子設(shè)備，其中，間隔件層包括鉻Cr、釕Ru、銥Ir或銠Rh中的一種或更多種。

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中，所述多個(gè)磁性層之中的與隧道勢(shì)壘層接觸的磁性層具有比剩余的多個(gè)磁性層之中的任意一個(gè)的厚度大的厚度。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子設(shè)備，其中，含Zr材料層包括含F(xiàn)eZr的合金，以及間隔件層包括Ru。

19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中，所述多個(gè)磁性層包括彼此不同的材料。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電子設(shè)備，還包括介于所述多個(gè)磁性層之間的材料層，所述材料層用于緩解所述多個(gè)磁性層之間的晶格結(jié)構(gòu)上的差異和晶格失配。