[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610756197.0
• 申請日: 2016-08-29
• 公開（公告）號: CN107204312A
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 巖本正次;山崎尚
• 申請（專利權(quán)）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 楊林勛

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于具備：

將被處理體與工輔具以所述接地端子插入于所述第一溝槽，所述信號端子插入于所述第二溝槽，并且所述一表面相接于所述第一面的方式重疊配置的步驟，該被處理體具備：半導(dǎo)體元件；密封樹脂層，密封所述半導(dǎo)體元件；接地端子，與所述半導(dǎo)體元件電性連接，且從所述密封樹脂層的一表面突出，能夠與接地電位連接；及信號端子，與所述半導(dǎo)體元件電性連接，且從所述一表面突出；該工輔具具備：第一面；第二面；第一溝槽，從所述第一面至所述第二面為止連續(xù)性地露出；及第二溝槽，在所述第一面露出；及

以覆蓋所述密封樹脂層的露出部及所述接地端子的露出部的方式，形成導(dǎo)電性屏蔽層而將所述導(dǎo)電性屏蔽層與所述接地端子之間電性連接的步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于進(jìn)而具備如下步驟，即，在配置所述被處理體與所述工輔具的步驟之前形成所述被處理體，且

形成所述被處理體的步驟包含：

在具有所述接地端子與所述信號端子的襯底上搭載半導(dǎo)體元件，將所述半導(dǎo)體元件與所述接地端子之間電性連接，且將所述半導(dǎo)體元件與所述信號端子之間電性連接的步驟；

以將所述半導(dǎo)體元件、所述半導(dǎo)體元件與所述接地端子之間的連接部、及所述半導(dǎo)體元件與所述信號端子之間的連接部密封的方式形成所述密封樹脂層的步驟；及

在所述接地端子及所述信號端子的露出部實(shí)施鍍敷處理而形成鍍敷層的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于：

所述導(dǎo)電性屏蔽層通過濺鍍、噴霧法、蒸鍍法、或鍍敷處理而形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于：

所述半導(dǎo)體裝置為單列直插式封裝。

5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于具備：

半導(dǎo)體元件；

密封樹脂層，密封所述半導(dǎo)體元件；

接地端子，與所述半導(dǎo)體元件電性連接，且從所述密封樹脂層的一表面突出；

信號端子，與所述半導(dǎo)體元件電性連接，且從所述一表面突出；及

導(dǎo)電性屏蔽層，以一方面覆蓋所述密封樹脂層的除所述一表面以外的面，一方面相接于所述接地端子的一部分的方式經(jīng)由所述一表面而延伸，且與所述信號端子隔開。