[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610755917.1
• 申請(qǐng)日: 2016-08-29
• 公開（公告）號(hào): CN107785316A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234;H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 高靜,吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

形成襯底，所述襯底上具有多個(gè)第一鰭部和多個(gè)第二鰭部，所述第二鰭部位于所述第一鰭部的延伸方向上，且沿垂直延伸方向，所述多個(gè)第一鰭部相互平行，所述多個(gè)第二鰭部相互平行；

形成位于所述第一鰭部和所述第二鰭部之間的第一隔離結(jié)構(gòu)，以及位于所述相鄰第一鰭部之間和相鄰所述第二鰭部之間的第二隔離結(jié)構(gòu)；

形成位于所述第一隔離結(jié)構(gòu)上的保護(hù)層，形成所述保護(hù)層的步驟中，工藝溫度低于780攝氏度；

回刻所述第二隔離結(jié)構(gòu)，露出所述第一鰭部和所述第二鰭部的部分側(cè)壁表面。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述保護(hù)層的步驟包括：

通過化學(xué)氣相沉積或原子層沉積的方式形成所述保護(hù)層。

3.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述保護(hù)層的步驟中，

工藝溫度在300攝氏度到450攝氏度范圍內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述保護(hù)層的步驟中，

形成所述保護(hù)層的材料與所述第二隔離結(jié)構(gòu)的材料不同；

回刻所述第二隔離結(jié)構(gòu)的過程中，對(duì)所述第二隔離結(jié)構(gòu)的刻蝕速率大于對(duì)所述保護(hù)層的刻蝕速率。

5.如權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成所述保護(hù)層的步驟中，

垂直襯底表面方向上，所述保護(hù)層的尺寸在到范圍內(nèi)。

6.如權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二隔離結(jié)構(gòu)的步驟中，所述第二隔離結(jié)構(gòu)的材料為氧化硅；

形成所述保護(hù)層的步驟中，所述保護(hù)層的材料為氮化硅。

7.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述保護(hù)層的步驟包括：

形成具有開口的掩膜層，所述掩膜層覆蓋所述第一鰭部、所述第二鰭部以及所述第二隔離結(jié)構(gòu)的頂部表面，所述開口位于所述第一隔離結(jié)構(gòu)上；

在所述開口內(nèi)形成保護(hù)層；

去除所述掩膜層。

8.如權(quán)利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜層的步驟中，

所述掩膜層的材料包括非晶硅。

9.如權(quán)利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜層的步驟包括：

形成掩膜材料層，所述掩膜材料層覆蓋所述第一鰭部、所述第二鰭部以及所述第一隔離結(jié)構(gòu)和所述第二隔離結(jié)構(gòu)的頂部表面；

在所述掩膜材料層內(nèi)形成開口，所述開口位于所述第一隔離結(jié)構(gòu)上方。

10.如權(quán)利要求9所述的形成方法，其特征在于，形成掩膜材料層的步驟中，

垂直襯底表面的方向上，所述掩膜層的尺寸在到范圍內(nèi)。

11.如權(quán)利要求9所述的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜材料層步驟中，

工藝溫度在300攝氏度到500攝氏度范圍內(nèi)。

12.如權(quán)利要求7所述的形成方法，其特征在于，在所述開口內(nèi)形成保護(hù)層的步驟中，垂直襯底表面的方向上，所述開口的尺寸在到范圍內(nèi)。

13.如權(quán)利要求7所述的形成方法，其特征在于，在所述開口內(nèi)形成保護(hù)層的步驟包括：

形成保護(hù)材料層，所述保護(hù)材料層填充所述開口并覆蓋所述掩膜層的表面；

對(duì)所述保護(hù)材料層進(jìn)行平坦化處理直至露出所述掩膜層，形成位于所述開口內(nèi)的所述保護(hù)層。

14.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，回刻所述第二隔離結(jié)構(gòu)之后，

所述形成方法還包括：去除所述保護(hù)層。

15.如權(quán)利要求14所述的形成方法，其特征在于，去除所述保護(hù)層的步驟包括：

通過濕法刻蝕的方式去除所述保護(hù)層。