[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201610755894.4
• 申請日: 2016-08-29
• 公開（公告）號: CN107785267B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/324
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底；

在所述基底上形成偽柵結構，所述偽柵結構包括位于所述基底上的氧化層以及位于所述氧化層上的偽柵極；

在所述偽柵結構兩側的基底內形成應力層；

對所述應力層進行離子摻雜，形成源漏摻雜區；

形成覆蓋所述應力層的層間介質層，所述層間介質層的頂部表面露出所述偽柵極；

去除所述偽柵極，在所述層間介質層內形成開口，所述開口底部露出所述氧化層；

在形成所述開口后，進行第一退火處理，以激活所述源漏摻雜區的摻雜離子并修復所述開口底部的氧化層。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，進行第一退火處理的步驟包括：采用尖峰退火的方式進行所述第一退火處理。

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，進行第一退火處理的步驟包括：采用尖峰退火和激光退火的方式進行所述第一退火處理。

4.如權利要求2或3所述的形成方法，其特征在于，采用尖峰退火的方式進行所述第一退火處理的步驟中，退火溫度在1000℃到1050℃范圍內，壓強為一個標準大氣壓。

5.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，進行所述第一退火處理的步驟包括：進行所述第一退火處理過程中，按體積百分比，氧氣在工藝氣體中所占比例小于10％。

6.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，進行所述第一退火處理的步驟中，工藝氣體包括氧氣和氮氣。

7.如權利要求6所述的形成方法，其特征在于，進行所述第一退火處理的步驟中，工藝氣體中氧氣和氮氣的體積比在1:10到1:500范圍內。

8.如權利要求3所述的形成方法，其特征在于，采用激光退火的方式進行所述第一退火處理的步驟中，所述退火溫度在1200℃至1250℃范圍內。

9.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述層間介質層的步驟中，所述層間介質層的材料為氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。

10.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述層間介質層的步驟中，所述層間介質層的厚度在到范圍內。

11.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述層間介質層的步驟包括：

在所述基底上形成覆蓋所述應力層的前驅隔離膜，所述前驅隔離膜還覆蓋所述偽柵結構；

對所述前驅隔離膜進行第二退火處理，將所述前驅隔離膜轉化為層間介質膜；

采用平坦化工藝，去除高于所述偽柵結構頂部的層間介質膜露出所述偽柵極，形成所述層間介質層。

12.如權利要求11所述的形成方法，其特征在于，對所述前驅隔離膜進行第二退火處理的步驟包括：采用快速退火的方式對所述前驅隔離膜進行第二退火處理。

13.如權利要求12所述的形成方法，其特征在于，采用快速退火的方式對所述前驅隔離膜進行第二退火處理步驟中，退火溫度在950℃到1100℃，退火時間為0秒至20秒，壓強為一個標準大氣壓。

14.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基底用于形成N型晶體管；形成應力層的步驟中，所述應力層的材料為SiC、SiP或SiCP；

或者，所述基底用于形成P型晶體管，所述應力層的材料為SiGe、SiB或SiGeB。