[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制備方法

有效

• 申請號: 201610749723.0
• 申請日: 2016-08-30
• 公開（公告）號: CN106887436B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 高逸群;施博理;張煒熾;吳逸蔚
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞

1.一種薄膜晶體管陣列基板，其包括絕緣基板、形成于絕緣基板上的半導體層及形成于半導體層上的第二導電層，所述第二導電層形成間隔設置的源極與漏極，其特征在于：第二導電層至少包括：

第一子層，其形成于半導體層上，其材質為金屬氧化物；

第二子層，其形成于第一子層上，其材質為鋁或鋁合金；以及

第三子層，形成于第二子層上，其材質為金屬氧化物；

所述第一子層和第三子層的材質均為含鋅的金屬氧化物導電材料，且第三子層的鋅含量高于第一子層的鋅含量。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述源極與漏極之間形成有一貫穿所述第一子層、第二子層與第三子層的溝道，沿第三子層指向第一子層的方向，所述溝道的尺寸逐漸變小。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述薄膜晶體管陣列基板還包括絕緣基板、形成于絕緣基板上的柵極、形成于絕緣基板上且覆蓋柵極的柵極絕緣層；所述半導體層形成于所述柵極絕緣層上。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述薄膜晶體管陣列基板還包括一鈍化層覆蓋所述半導體層及所述第二導電層、形成在所述鈍化層上的多個像素電極，像素電極與所述漏極電性連接。

5.一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法：

提供一絕緣基板，在所述絕緣基板上形成一半導體層；

在半導體層上形成一第一子層，第一子層的材質為金屬氧化物；

在第一子層上形成一第二子層，第二子層的材質為鋁或鋁合金；

在第二子層上形成一第三子層，所述第三子層的材質為金屬氧化物；

對所述第一子層、所述第二子層及所述第三子層進行蝕刻形成一溝道貫穿所述第一子層、所述第二子層及所述第三子層，從而使第一子層、第二子層與第三子層配合形成通過溝道得以間隔設置的源極與漏極；

其中所述第一子層和第三子層的材質均為含鋅的金屬氧化物導電材料，且第三子層的鋅含量高于第一子層的鋅含量。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于：沿第三子層指向第一子層的方向，所述溝道的尺寸逐漸變小。